蒙特卡罗计算在中子残余应力谱仪屏蔽优化设计中的应用

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刘丽鹃, 李圆圆, 李建. 2013: 蒙特卡罗计算在中子残余应力谱仪屏蔽优化设计中的应用, 强激光与粒子束, 25(7): 1817-1820. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1817
引用本文: 刘丽鹃, 李圆圆, 李建. 2013: 蒙特卡罗计算在中子残余应力谱仪屏蔽优化设计中的应用, 强激光与粒子束, 25(7): 1817-1820. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1817
Liu Lijuan, Li Yuanyuan, Li Jian. 2013: Optimization design with Monte Carlo code for shield of residual stress neutron diffractometer, High Power Lase and Particle Beams, 25(7): 1817-1820. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1817
Citation: Liu Lijuan, Li Yuanyuan, Li Jian. 2013: Optimization design with Monte Carlo code for shield of residual stress neutron diffractometer, High Power Lase and Particle Beams, 25(7): 1817-1820. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1817

蒙特卡罗计算在中子残余应力谱仪屏蔽优化设计中的应用

Optimization design with Monte Carlo code for shield of residual stress neutron diffractometer

  • 摘要: 在反应堆上进行中子残余应力谱仪(RSND)的建设工程中,生物屏蔽是降低谱仪测量本底,保证工作人员安全的主要技术手段.为了对屏蔽系统进行优化设计,采用蒙特卡罗方法对其进行模拟计算.采用McStas和MCNP5两种计算程序,理论分析提高计算效率的方法和技巧,并分三步进行谱仪辐射场的计算.首先用McStas程序模拟热中子在导管中的输运过程,然后用MCNP程序计算了屏蔽块之间接合处的拼缝对谱仪辐射场的影响,最后建立整个谱仪屏蔽系统的MCNP模型,并进行计算.将经过用影响因素修正后的计算结果与现场剂量仪实测值进行比较,结果表明二者在允许的误差范围内基本一致.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-07-30

蒙特卡罗计算在中子残余应力谱仪屏蔽优化设计中的应用

  • 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900
  • 中国核动力研究设计院反应堆燃料及材料重点实验室,成都,610041

摘要: 在反应堆上进行中子残余应力谱仪(RSND)的建设工程中,生物屏蔽是降低谱仪测量本底,保证工作人员安全的主要技术手段.为了对屏蔽系统进行优化设计,采用蒙特卡罗方法对其进行模拟计算.采用McStas和MCNP5两种计算程序,理论分析提高计算效率的方法和技巧,并分三步进行谱仪辐射场的计算.首先用McStas程序模拟热中子在导管中的输运过程,然后用MCNP程序计算了屏蔽块之间接合处的拼缝对谱仪辐射场的影响,最后建立整个谱仪屏蔽系统的MCNP模型,并进行计算.将经过用影响因素修正后的计算结果与现场剂量仪实测值进行比较,结果表明二者在允许的误差范围内基本一致.

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