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Fe3O4/MgO(100)薄膜外场诱导电阻变化特性

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曹林洪, 吴卫东, 唐永建, 王雪敏. 2012: Fe3O4/MgO(100)薄膜外场诱导电阻变化特性, 强激光与粒子束, 24(8): 1841-1845. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1841
引用本文: 曹林洪, 吴卫东, 唐永建, 王雪敏. 2012: Fe3O4/MgO(100)薄膜外场诱导电阻变化特性, 强激光与粒子束, 24(8): 1841-1845. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1841
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Cao Linhong, Wu Weidong, Tang Yongjian, Wang Xuemin. 2012: Resistance characteristics of Fe3O4/MgO(100) films at action of outfields, High Power Lase and Particle Beams, 24(8): 1841-1845. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1841
Citation: Cao Linhong, Wu Weidong, Tang Yongjian, Wang Xuemin. 2012: Resistance characteristics of Fe3O4/MgO(100) films at action of outfields, High Power Lase and Particle Beams, 24(8): 1841-1845. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1841
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Fe3O4/MgO(100)薄膜外场诱导电阻变化特性

  • 西南科技大学 四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地,四川 绵阳 621010;西南科技大学-中国工程物理研究院激光聚变研究中心 极端条件物质特性联合实验室,四川 绵阳 621010;中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900

  • 西南科技大学-中国工程物理研究院激光聚变研究中心 极端条件物质特性联合实验室,四川 绵阳 621010;中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900

  • 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳,621900

Resistance characteristics of Fe3O4/MgO(100) films at action of outfields

  • 摘要: 采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO (100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻变化特性.X射线衍射(XRD)分析表明Fe3O4薄膜是沿MgO(200)晶面外延生长的单晶薄膜；反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡曲线分析表明Fe3O4薄膜表面平整,而且生长模式为2维层状生长；原子力显微镜(AFM)分析表明Fe3O4薄膜表面粗糙度为0.201 nm,说明薄膜表面达到原子级平整度.外场作用下Fe3O4薄膜的电阻测试表明:薄膜样品的电阻在120 K (Verwey转变温度)出现一峰值,略微下降后继续增大,展现出半导体型的导电特性；在激光作用下,整个测量温度范围内薄膜样品的电阻减小,样品展示出瞬间光电导的特性；从降温曲线可以看出,Verwey转变温度由无激光作用时的120 K上升到有激光作用时的140 K；光致电阻变化率随着温度的降低而增大,这主要是由于激光作用导致电荷有序态的退局域化.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-08-30

Fe3O4/MgO(100)薄膜外场诱导电阻变化特性

  • 西南科技大学 四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地,四川 绵阳 621010;西南科技大学-中国工程物理研究院激光聚变研究中心 极端条件物质特性联合实验室,四川 绵阳 621010;中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900
  • 西南科技大学-中国工程物理研究院激光聚变研究中心 极端条件物质特性联合实验室,四川 绵阳 621010;中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900
  • 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳,621900

摘要: 采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO (100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻变化特性.X射线衍射(XRD)分析表明Fe3O4薄膜是沿MgO(200)晶面外延生长的单晶薄膜；反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡曲线分析表明Fe3O4薄膜表面平整,而且生长模式为2维层状生长；原子力显微镜(AFM)分析表明Fe3O4薄膜表面粗糙度为0.201 nm,说明薄膜表面达到原子级平整度.外场作用下Fe3O4薄膜的电阻测试表明:薄膜样品的电阻在120 K (Verwey转变温度)出现一峰值,略微下降后继续增大,展现出半导体型的导电特性；在激光作用下,整个测量温度范围内薄膜样品的电阻减小,样品展示出瞬间光电导的特性；从降温曲线可以看出,Verwey转变温度由无激光作用时的120 K上升到有激光作用时的140 K；光致电阻变化率随着温度的降低而增大,这主要是由于激光作用导致电荷有序态的退局域化.

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