单丝及多丝Z箍缩的X射线背光成像

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朱鑫磊, 张然, 罗海云, 赵屾, 邹晓兵, 王新新. 2012: 单丝及多丝Z箍缩的X射线背光成像, 强激光与粒子束, 24(3): 539-543. doi: 10.3788/HPLPB20122403.0539
引用本文: 朱鑫磊, 张然, 罗海云, 赵屾, 邹晓兵, 王新新. 2012: 单丝及多丝Z箍缩的X射线背光成像, 强激光与粒子束, 24(3): 539-543. doi: 10.3788/HPLPB20122403.0539
Zhu Xinlei, Zhang Ran, Luo Haiyun, Zhao Shen, Zou Xiaobing, Wang Xinxin. 2012: X-ray backlightings of single-wire and multi-wire Z-pinch, High Power Lase and Particle Beams, 24(3): 539-543. doi: 10.3788/HPLPB20122403.0539
Citation: Zhu Xinlei, Zhang Ran, Luo Haiyun, Zhao Shen, Zou Xiaobing, Wang Xinxin. 2012: X-ray backlightings of single-wire and multi-wire Z-pinch, High Power Lase and Particle Beams, 24(3): 539-543. doi: 10.3788/HPLPB20122403.0539

单丝及多丝Z箍缩的X射线背光成像

X-ray backlightings of single-wire and multi-wire Z-pinch

  • 摘要: 基于X箍缩软X射线辐射点源对单丝及多丝Z箍缩发展过程进行了背光成像研究,实验平台为清华大学电机系研制的脉冲功率装置PPG-Ⅰ (500 kV/400 kA/100 ns).成像光路安排为:作为X射线源的X箍缩和作为目标物的单丝或多丝(双丝)Z箍缩分别安装在装置的输出主电极阴阳极之间或回流导电杆处,成像胶片采用高分辨力、高灵敏度的X射线胶片.利用自行设计的电流传感器和罗氏线圈对目标物实际流过的电流进行监测.为了测定目标物金属细丝的质量消融率,设计了μm级厚度的阶梯光楔.通过大量成像实验,获取了Z箍缩等离子体融合、先驱等离子体形成及不稳定性发展等过程的相关物理图像以及质量消融率、丝芯膨胀率等重要定量参数.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-03-30

单丝及多丝Z箍缩的X射线背光成像

  • 清华大学 电机工程与应用电子技术系,北京,100084

摘要: 基于X箍缩软X射线辐射点源对单丝及多丝Z箍缩发展过程进行了背光成像研究,实验平台为清华大学电机系研制的脉冲功率装置PPG-Ⅰ (500 kV/400 kA/100 ns).成像光路安排为:作为X射线源的X箍缩和作为目标物的单丝或多丝(双丝)Z箍缩分别安装在装置的输出主电极阴阳极之间或回流导电杆处,成像胶片采用高分辨力、高灵敏度的X射线胶片.利用自行设计的电流传感器和罗氏线圈对目标物实际流过的电流进行监测.为了测定目标物金属细丝的质量消融率,设计了μm级厚度的阶梯光楔.通过大量成像实验,获取了Z箍缩等离子体融合、先驱等离子体形成及不稳定性发展等过程的相关物理图像以及质量消融率、丝芯膨胀率等重要定量参数.

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