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激光二极管触发光导开关实验研究

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吴朝阳, 陈志刚, 薛长江, 陆巍, 杨周炳. 2012: 激光二极管触发光导开关实验研究, 强激光与粒子束, 24(3): 635-638. doi: 10.3788/HPLPB20122403.0635
引用本文: 吴朝阳, 陈志刚, 薛长江, 陆巍, 杨周炳. 2012: 激光二极管触发光导开关实验研究, 强激光与粒子束, 24(3): 635-638. doi: 10.3788/HPLPB20122403.0635
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Wu Zhaoyang, Chen Zhigang, Xue Changjiang, Lu Wei, Yang Zhoubing. 2012: Experimental research on GaAs photoconductive semiconductor switches triggered by laser diode, High Power Lase and Particle Beams, 24(3): 635-638. doi: 10.3788/HPLPB20122403.0635
Citation: Wu Zhaoyang, Chen Zhigang, Xue Changjiang, Lu Wei, Yang Zhoubing. 2012: Experimental research on GaAs photoconductive semiconductor switches triggered by laser diode, High Power Lase and Particle Beams, 24(3): 635-638. doi: 10.3788/HPLPB20122403.0635
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激光二极管触发光导开关实验研究

  • 中国工程物理研究院应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900

Experimental research on GaAs photoconductive semiconductor switches triggered by laser diode

  • 摘要: 介绍了利用大功率半导体激光二极管触发3 mm间隙GaAs光导开关、产生非线性电脉冲输出的实验,激光二极管输出功率为70 W,上升前沿约20 ns,脉冲半高宽(FWHM)约40 ns.随着开关两端偏置场强增加,输出电压也线性增加,当偏置场强超过一定阈值,增至约2.53 kV/mm时,经过一个较小的电压峰值和时间延迟后,输出电压急剧增加,产生雪崩现象.实验结果表明:GaAs开关非线性输出的产生与载流子聚集和碰撞电离有关,偏置电场的提高增加了开关芯片中载流子聚集数量,加剧了碰撞离化程度,从而使开关从线性模式进入雪崩模式.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-03-30

激光二极管触发光导开关实验研究

  • 中国工程物理研究院应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900

摘要: 介绍了利用大功率半导体激光二极管触发3 mm间隙GaAs光导开关、产生非线性电脉冲输出的实验,激光二极管输出功率为70 W,上升前沿约20 ns,脉冲半高宽(FWHM)约40 ns.随着开关两端偏置场强增加,输出电压也线性增加,当偏置场强超过一定阈值,增至约2.53 kV/mm时,经过一个较小的电压峰值和时间延迟后,输出电压急剧增加,产生雪崩现象.实验结果表明:GaAs开关非线性输出的产生与载流子聚集和碰撞电离有关,偏置电场的提高增加了开关芯片中载流子聚集数量,加剧了碰撞离化程度,从而使开关从线性模式进入雪崩模式.

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