高级搜索

采用AlSb缓冲层生长2.3μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

尤明慧, 高欣, 李占国, 刘国军, 李林, 李梅, 王晓华. 2010: 采用AlSb缓冲层生长2.3μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构, 强激光与粒子束, 22(8): 1716-1718. doi: 10.3788/HPLPB201002208.1716
引用本文: 尤明慧, 高欣, 李占国, 刘国军, 李林, 李梅, 王晓华. 2010: 采用AlSb缓冲层生长2.3μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构, 强激光与粒子束, 22(8): 1716-1718. doi: 10.3788/HPLPB201002208.1716
shu
You Minghui, Gao Xin, Li Zhanguo, Liu Guojun, Li Lin, Li Mei, Wang Xiaohua. 2010: Growing of 2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well via AlSb buffers, High Power Lase and Particle Beams, 22(8): 1716-1718. doi: 10.3788/HPLPB201002208.1716
Citation: You Minghui, Gao Xin, Li Zhanguo, Liu Guojun, Li Lin, Li Mei, Wang Xiaohua. 2010: Growing of 2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well via AlSb buffers, High Power Lase and Particle Beams, 22(8): 1716-1718. doi: 10.3788/HPLPB201002208.1716
shu

采用AlSb缓冲层生长2.3μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

  • 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

Growing of 2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well via AlSb buffers

  • 摘要: 针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长.样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散.光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3 μm附近.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  539
  • HTML全文浏览数:  44
  • PDF下载数:  18
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2010-08-30

采用AlSb缓冲层生长2.3μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

  • 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

摘要: 针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长.样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散.光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3 μm附近.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回