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基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器

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丁臻捷, 浩庆松, 苏建仓, 孙旭. 2009: 基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器, 强激光与粒子束, 21(10): 1575-1578.
引用本文: 丁臻捷, 浩庆松, 苏建仓, 孙旭. 2009: 基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器, 强激光与粒子束, 21(10): 1575-1578.
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Ding Zhenjie, Hao Qingsong, Su Jiancang, Sun Xu. 2009: 8 MW, 10 kHz semiconductor opening switch pulsed generator, High Power Lase and Particle Beams, 21(10): 1575-1578.
Citation: Ding Zhenjie, Hao Qingsong, Su Jiancang, Sun Xu. 2009: 8 MW, 10 kHz semiconductor opening switch pulsed generator, High Power Lase and Particle Beams, 21(10): 1575-1578.
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基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器

  • 西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,西安,710049;西北核技术研究所,西安,710024

  • 西北核技术研究所,西安,710024

8 MW, 10 kHz semiconductor opening switch pulsed generator

  • 摘要: 功率器件半导体断路开关具有高重复频率工作能力.采用高速绝缘栅双极晶体管组件作为初级充电回路的主开关,建立了一台工作频率为10 kHz的脉冲发生器.脉冲发生器采用磁饱和脉冲变压器、磁开关及高压脉冲电容器组等固态器件进行两级脉冲压缩,产生小于100 ns的电流脉冲,对半导体断路开关进行泵浦,半导体断路开关反向截断泵浦电流在负载上产生高压脉冲输出.实验装置在电阻负载上得到了脉冲输出功率约为8.6 MW,脉冲宽度约10 ns,重复频率10 kHz的高压脉冲输出.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器

  • 西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,西安,710049;西北核技术研究所,西安,710024
  • 西北核技术研究所,西安,710024

摘要: 功率器件半导体断路开关具有高重复频率工作能力.采用高速绝缘栅双极晶体管组件作为初级充电回路的主开关,建立了一台工作频率为10 kHz的脉冲发生器.脉冲发生器采用磁饱和脉冲变压器、磁开关及高压脉冲电容器组等固态器件进行两级脉冲压缩,产生小于100 ns的电流脉冲,对半导体断路开关进行泵浦,半导体断路开关反向截断泵浦电流在负载上产生高压脉冲输出.实验装置在电阻负载上得到了脉冲输出功率约为8.6 MW,脉冲宽度约10 ns,重复频率10 kHz的高压脉冲输出.

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