杂质元素特征X射线对氢气放电源打靶新谱线的影响

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秦建国, 王大伦, 赖财锋. 2009: 杂质元素特征X射线对氢气放电源打靶新谱线的影响, 强激光与粒子束, 21(7): 961-969.
引用本文: 秦建国, 王大伦, 赖财锋. 2009: 杂质元素特征X射线对氢气放电源打靶新谱线的影响, 强激光与粒子束, 21(7): 961-969.
Qin Jianguo, Wang Dalun, Lai Caifeng. 2009: Influence of characteristic X-ray of impurity element on anonymous spectral lines excited by hydrogen gas discharge source bombarding targets, High Power Lase and Particle Beams, 21(7): 961-969.
Citation: Qin Jianguo, Wang Dalun, Lai Caifeng. 2009: Influence of characteristic X-ray of impurity element on anonymous spectral lines excited by hydrogen gas discharge source bombarding targets, High Power Lase and Particle Beams, 21(7): 961-969.

杂质元素特征X射线对氢气放电源打靶新谱线的影响

Influence of characteristic X-ray of impurity element on anonymous spectral lines excited by hydrogen gas discharge source bombarding targets

  • 摘要: 在氢气放电源打靶的实验中,测到了系列能量恒定不变的低能X射线新谱线,这些新谱线的能量分别为(1.70±0.10)keV,(2.25±0.07)keV,(2.56±0.08) keV,(3.25±0.10) keV和(3.62±0.11) keV,与Si,Ta,S,Cl,K和Ca等元素的特征X射线能量相近,但靶中所含的杂质或来自放电室的杂质元素可能会产生这些能量的X射线谱峰,证实新谱线是否由这些元素的特征X射线干扰所致显得尤为重要.分析了本实验系统中各种杂质的可能来源,论证了放电室端杂质对新谱线的影响,及靶材料中体杂质和面杂质对新谱线的影响;用X射线光电子能谱仪对靶做了表面分析.研究结果表明:杂质元素的特征X射线不会对氢气放电源打靶产生的新谱线有影响.这些新谱线的性质有待进一步的实验研究.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-07-30

杂质元素特征X射线对氢气放电源打靶新谱线的影响

  • 中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900

摘要: 在氢气放电源打靶的实验中,测到了系列能量恒定不变的低能X射线新谱线,这些新谱线的能量分别为(1.70±0.10)keV,(2.25±0.07)keV,(2.56±0.08) keV,(3.25±0.10) keV和(3.62±0.11) keV,与Si,Ta,S,Cl,K和Ca等元素的特征X射线能量相近,但靶中所含的杂质或来自放电室的杂质元素可能会产生这些能量的X射线谱峰,证实新谱线是否由这些元素的特征X射线干扰所致显得尤为重要.分析了本实验系统中各种杂质的可能来源,论证了放电室端杂质对新谱线的影响,及靶材料中体杂质和面杂质对新谱线的影响;用X射线光电子能谱仪对靶做了表面分析.研究结果表明:杂质元素的特征X射线不会对氢气放电源打靶产生的新谱线有影响.这些新谱线的性质有待进一步的实验研究.

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