高级搜索

双边二次电子倍增效应分析

,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

应旭华, 郝建红, 范杰清. 2009: 双边二次电子倍增效应分析, 强激光与粒子束, 21(6): 906-910.
引用本文: 应旭华, 郝建红, 范杰清. 2009: 双边二次电子倍增效应分析, 强激光与粒子束, 21(6): 906-910.
shu
Ying Xuhua, Hao Jianhong, Fan Jieqing. 2009: Analysis of two-surface multipactor discharge, High Power Lase and Particle Beams, 21(6): 906-910.
Citation: Ying Xuhua, Hao Jianhong, Fan Jieqing. 2009: Analysis of two-surface multipactor discharge, High Power Lase and Particle Beams, 21(6): 906-910.
shu

双边二次电子倍增效应分析

  • 华北电力大学,电气与电子工程学院,北京,102206

Analysis of two-surface multipactor discharge

  • 摘要: 根据高功率微波源相互作用腔结构.建立了一种双边二次电子倍增效应模型.采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律.分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响.结果表明:高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应;二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系,且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多,这与理论分析的结果一致.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  381
  • HTML全文浏览数:  71
  • PDF下载数:  22
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2009-06-30

双边二次电子倍增效应分析

  • 华北电力大学,电气与电子工程学院,北京,102206

摘要: 根据高功率微波源相互作用腔结构.建立了一种双边二次电子倍增效应模型.采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律.分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响.结果表明:高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应;二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系,且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多,这与理论分析的结果一致.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回