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离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响

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申林, 田俊林, 刘志国, 熊胜明. 2009: 离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响, 强激光与粒子束, 21(1): 118-122.
引用本文: 申林, 田俊林, 刘志国, 熊胜明. 2009: 离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响, 强激光与粒子束, 21(1): 118-122.
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Shen Lin, Tian Junlin, Liu Zhiguo, Xiong Shengming. 2009: Influence of bias voltage of APS ion source on performance of hafnium films deposited with ion-assisted technology, High Power Lase and Particle Beams, 21(1): 118-122.
Citation: Shen Lin, Tian Junlin, Liu Zhiguo, Xiong Shengming. 2009: Influence of bias voltage of APS ion source on performance of hafnium films deposited with ion-assisted technology, High Power Lase and Particle Beams, 21(1): 118-122.
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离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响

  • 中国科学院光电技术研究所,成都,610209

  • 中国科学院光电技术研究所,成都,610209;中国科学院研究生院,北京,100039

Influence of bias voltage of APS ion source on performance of hafnium films deposited with ion-assisted technology

  • 摘要: 基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50～140 V范围内,在[100]单晶硅片和紫外石英(JGS1)基板上制备了HfO2单层膜.分别利用Lambda 900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析.结果表明:当APS源偏转电压在120～140 V及50～90 V两个范围内变化时,HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小,而为110～90 V时紫外短波光学损耗对偏转电压的变化不敏感;偏转电压在50～140 V的范围内时,制备的HfO2薄膜表面及纵向化学成分无明显变化;当偏转电压为100 V时,HfO2薄膜晶粒尺寸及表面粗糙度分别达到最大值26.2 nm及5.79 nm,其后,随着偏转电压的降低,二者均逐渐减小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响

  • 中国科学院光电技术研究所,成都,610209
  • 中国科学院光电技术研究所,成都,610209;中国科学院研究生院,北京,100039

摘要: 基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50～140 V范围内,在[100]单晶硅片和紫外石英(JGS1)基板上制备了HfO2单层膜.分别利用Lambda 900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析.结果表明:当APS源偏转电压在120～140 V及50～90 V两个范围内变化时,HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小,而为110～90 V时紫外短波光学损耗对偏转电压的变化不敏感;偏转电压在50～140 V的范围内时,制备的HfO2薄膜表面及纵向化学成分无明显变化;当偏转电压为100 V时,HfO2薄膜晶粒尺寸及表面粗糙度分别达到最大值26.2 nm及5.79 nm,其后,随着偏转电压的降低,二者均逐渐减小.

English Abstract

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