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电子束蒸发法制备ZrO2薄膜的相变模型分析

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吴师岗. 2008: 电子束蒸发法制备ZrO2薄膜的相变模型分析, 强激光与粒子束, 20(10): 1724-1726.
引用本文: 吴师岗. 2008: 电子束蒸发法制备ZrO2薄膜的相变模型分析, 强激光与粒子束, 20(10): 1724-1726.
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WU Shi-gang. 2008: Phase transition model analysis of ZrO2 thin film deposited by electron-beam evaporation, High Power Lase and Particle Beams, 20(10): 1724-1726.
Citation: WU Shi-gang. 2008: Phase transition model analysis of ZrO2 thin film deposited by electron-beam evaporation, High Power Lase and Particle Beams, 20(10): 1724-1726.
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电子束蒸发法制备ZrO2薄膜的相变模型分析

  • 山东理工大学,材料科学与工程学院,山东,淄博,255049

    • 通讯作者: 吴师岗

Phase transition model analysis of ZrO2 thin film deposited by electron-beam evaporation

    Corresponding author: WU Shi-gang

  • 摘要: 用电子束蒸发方法制备了纯的ZrO2薄膜和含Y2O3摩尔分数为7%和13%的ZrO2薄膜,即YSZ薄膜,通过测定薄膜的损伤阈值来验证温度诱导相变模型;并用X射线衍射(XRD)来测定ZrO2和YSZ镀膜材料和薄膜的结构特征.结果表明: ZrO2镀膜材料和薄膜室温下都表现为单斜相,YSZ镀膜材料和薄膜室温下都以立方相存在;YSZ薄膜的损伤阈值远高于ZrO2薄膜的损伤阈值,这是因为添加Y2O3后的YSZ材料的相比较稳定,在蒸发过程中不会发生相变,而ZrO2材料则发生相变,产生缺陷,缺陷在激光作用下成为吸收中心和初始破坏点,导致ZrO2薄膜的损伤阈值降低.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-10-30

电子束蒸发法制备ZrO2薄膜的相变模型分析

    通讯作者: 吴师岗
  • 山东理工大学,材料科学与工程学院,山东,淄博,255049

摘要: 用电子束蒸发方法制备了纯的ZrO2薄膜和含Y2O3摩尔分数为7%和13%的ZrO2薄膜,即YSZ薄膜,通过测定薄膜的损伤阈值来验证温度诱导相变模型;并用X射线衍射(XRD)来测定ZrO2和YSZ镀膜材料和薄膜的结构特征.结果表明: ZrO2镀膜材料和薄膜室温下都表现为单斜相,YSZ镀膜材料和薄膜室温下都以立方相存在;YSZ薄膜的损伤阈值远高于ZrO2薄膜的损伤阈值,这是因为添加Y2O3后的YSZ材料的相比较稳定,在蒸发过程中不会发生相变,而ZrO2材料则发生相变,产生缺陷,缺陷在激光作用下成为吸收中心和初始破坏点,导致ZrO2薄膜的损伤阈值降低.

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