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S波段相对论速调管放大器输入腔的3维分析与模拟

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雷禄容, 范植开, 黄华, 何琥. 2008: S波段相对论速调管放大器输入腔的3维分析与模拟, 强激光与粒子束, 20(3): 455-459.
引用本文: 雷禄容, 范植开, 黄华, 何琥. 2008: S波段相对论速调管放大器输入腔的3维分析与模拟, 强激光与粒子束, 20(3): 455-459.
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LEI Lu-rong, FAN Zhi-kai, HUANG Hua, HE Hu. 2008: Three dimensional analysis and simulation of input cavity for S-band relativistic klystron amplifier, High Power Lase and Particle Beams, 20(3): 455-459.
Citation: LEI Lu-rong, FAN Zhi-kai, HUANG Hua, HE Hu. 2008: Three dimensional analysis and simulation of input cavity for S-band relativistic klystron amplifier, High Power Lase and Particle Beams, 20(3): 455-459.
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S波段相对论速调管放大器输入腔的3维分析与模拟

  • 中国工程物理研究院,应用电子学研究所,四川,绵阳,621900

Three dimensional analysis and simulation of input cavity for S-band relativistic klystron amplifier

  • 摘要: 利用3维软件设计了适用于S波段相对论速调管放大器的单重入输入腔,该腔体采用了偏心设计,以便减小耦合孔处的不均匀场对腔间隙场的影响,分析了腔体耦合孔尺寸对腔间隙场均匀性的影响;建立了带输入波导结构的3维输入腔开放腔模型,并应用此模型,采用3维PIC程序模拟了注入微波功率、束直流对输入腔间隙后束流调制的影响.研究结果表明:耦合孔尺寸对腔间隙电场均匀性影响较大,当耦合孔离轴越近时,腔间隙场越不均匀;在结构参数和束参数固定的条件下,基波电流调制深度随着间隙电压的增加而增加,但达到最大基波调制电流的漂移距离几乎不变;在结构参数和注入微波参数固定的条件下,束直流越大,达到最大基波调制电流所需的漂移距离越短.研究结果为腔体的设计和输入腔束流调制实验提供了参考依据.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-03-30

S波段相对论速调管放大器输入腔的3维分析与模拟

  • 中国工程物理研究院,应用电子学研究所,四川,绵阳,621900

摘要: 利用3维软件设计了适用于S波段相对论速调管放大器的单重入输入腔,该腔体采用了偏心设计,以便减小耦合孔处的不均匀场对腔间隙场的影响,分析了腔体耦合孔尺寸对腔间隙场均匀性的影响;建立了带输入波导结构的3维输入腔开放腔模型,并应用此模型,采用3维PIC程序模拟了注入微波功率、束直流对输入腔间隙后束流调制的影响.研究结果表明:耦合孔尺寸对腔间隙电场均匀性影响较大,当耦合孔离轴越近时,腔间隙场越不均匀;在结构参数和束参数固定的条件下,基波电流调制深度随着间隙电压的增加而增加,但达到最大基波调制电流的漂移距离几乎不变;在结构参数和注入微波参数固定的条件下,束直流越大,达到最大基波调制电流所需的漂移距离越短.研究结果为腔体的设计和输入腔束流调制实验提供了参考依据.

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