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脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性

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许丽, 黄伟其, 吴克跃, 金峰, 王海旭. 2008: 脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性, 强激光与粒子束, 20(1): 58-61.
引用本文: 许丽, 黄伟其, 吴克跃, 金峰, 王海旭. 2008: 脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性, 强激光与粒子束, 20(1): 58-61.
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XU Li, HUANG Wei-qi, WU Ke-yue, JIN Feng, WANG Hai-xu. 2008: Hole-net structure and photoluminescence emission monocrystalline on silicon irradiated by laser, High Power Lase and Particle Beams, 20(1): 58-61.
Citation: XU Li, HUANG Wei-qi, WU Ke-yue, JIN Feng, WANG Hai-xu. 2008: Hole-net structure and photoluminescence emission monocrystalline on silicon irradiated by laser, High Power Lase and Particle Beams, 20(1): 58-61.
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脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性

  • 贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025

  • 贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025;贵州教育学院,物理系,贵阳,550003

Hole-net structure and photoluminescence emission monocrystalline on silicon irradiated by laser

  • 摘要: 将功率密度约为0.5 J·s-1·cm-2、脉冲宽度约为8 ns、束斑直径为0.045 mm、波长为1 064 nm的YAG激光束照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上形成较规则的网孔状结构;该结构有很强的光致荧光,其强度比该样品的瑞利散射强;发光峰中心约在700 nm处.在无氧化的环境里用激光加工出的硅样品几乎无发光,这证实了氧在光致荧光增强上起着重要作用.用冷等离子体波模型来解释孔侧壁网孔状结构形成的机理,并用量子受限-发光中心模型来解释纳米网孔壁结构的强荧光效应.当激光辐照时间为9 s时,孔洞侧壁上的网孔状结构较稳定,且有较强的光致荧光.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-01-30

脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性

  • 贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025
  • 贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025;贵州教育学院,物理系,贵阳,550003

摘要: 将功率密度约为0.5 J·s-1·cm-2、脉冲宽度约为8 ns、束斑直径为0.045 mm、波长为1 064 nm的YAG激光束照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上形成较规则的网孔状结构;该结构有很强的光致荧光,其强度比该样品的瑞利散射强;发光峰中心约在700 nm处.在无氧化的环境里用激光加工出的硅样品几乎无发光,这证实了氧在光致荧光增强上起着重要作用.用冷等离子体波模型来解释孔侧壁网孔状结构形成的机理,并用量子受限-发光中心模型来解释纳米网孔壁结构的强荧光效应.当激光辐照时间为9 s时,孔洞侧壁上的网孔状结构较稳定,且有较强的光致荧光.

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