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退火工艺对ICF靶用冷轧镍膜的影响

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李朝阳, 邢丕峰, 郑凤成, 李国荣. 2007: 退火工艺对ICF靶用冷轧镍膜的影响, 强激光与粒子束, 19(12): 2031-2033.
引用本文: 李朝阳, 邢丕峰, 郑凤成, 李国荣. 2007: 退火工艺对ICF靶用冷轧镍膜的影响, 强激光与粒子束, 19(12): 2031-2033.
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LI Zhao-yang, XING Pi-feng, ZHENG Feng-cheng, LI Guo-rong. 2007: Effect of annealing process on cold rolled Ni film for ICF target, High Power Lase and Particle Beams, 19(12): 2031-2033.
Citation: LI Zhao-yang, XING Pi-feng, ZHENG Feng-cheng, LI Guo-rong. 2007: Effect of annealing process on cold rolled Ni film for ICF target, High Power Lase and Particle Beams, 19(12): 2031-2033.
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退火工艺对ICF靶用冷轧镍膜的影响

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900

Effect of annealing process on cold rolled Ni film for ICF target

  • 摘要: 为了满足惯性约束聚变(ICF)和状态方程(EOS)实验以及靶装配工艺的需要,在薄膜轧制过程中间以及轧制工艺完成以后需要对镍膜进行热处理来改善其组织结构和力学性能.对多辊轧机冷轧的方法制备的厚11 μm镍膜中间退火工艺进行了研究,根据确定的合适的退火工艺退火后继续轧制得到成品镍膜厚7 μm,表面粗糙度小于50 nm,基本满足目前状态方程实验对箔膜的要求.金相显微照片表明镍膜晶粒经500 ℃保温1 h退火由轧制前的条带状变为等轴晶;镍膜硬度经500 ℃退火后由4 GPa降低到了2.3 GPa左右;XRD衍射测试表明镍膜经500 ℃以上温度退火后,高角度的衍射峰开始出现,织构得到一定程度的改善.由此可以确定镍膜合适的中间退火温度为520 ℃保温1 h.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-12-30

退火工艺对ICF靶用冷轧镍膜的影响

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900

摘要: 为了满足惯性约束聚变(ICF)和状态方程(EOS)实验以及靶装配工艺的需要,在薄膜轧制过程中间以及轧制工艺完成以后需要对镍膜进行热处理来改善其组织结构和力学性能.对多辊轧机冷轧的方法制备的厚11 μm镍膜中间退火工艺进行了研究,根据确定的合适的退火工艺退火后继续轧制得到成品镍膜厚7 μm,表面粗糙度小于50 nm,基本满足目前状态方程实验对箔膜的要求.金相显微照片表明镍膜晶粒经500 ℃保温1 h退火由轧制前的条带状变为等轴晶;镍膜硬度经500 ℃退火后由4 GPa降低到了2.3 GPa左右;XRD衍射测试表明镍膜经500 ℃以上温度退火后,高角度的衍射峰开始出现,织构得到一定程度的改善.由此可以确定镍膜合适的中间退火温度为520 ℃保温1 h.

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