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高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展

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赵文彬, 张冠军, 严璋. 2007: 高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展, 强激光与粒子束, 19(3): 515-520.
引用本文: 赵文彬, 张冠军, 严璋. 2007: 高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展, 强激光与粒子束, 19(3): 515-520.
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ZHAO Wen-bin, ZHANG Guan-jun, YAN Zhang. 2007: Research progress on flashover phenomena across semiconducting materials under high electric field, High Power Lase and Particle Beams, 19(3): 515-520.
Citation: ZHAO Wen-bin, ZHANG Guan-jun, YAN Zhang. 2007: Research progress on flashover phenomena across semiconducting materials under high electric field, High Power Lase and Particle Beams, 19(3): 515-520.
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高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展

  • 西安交通大学,电气工程学院,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

Research progress on flashover phenomena across semiconducting materials under high electric field

  • 摘要: 综述了国内外半导体沿面闪络的研究现状,阐述了电极结构的类型和影响闪络的主要因素;根据自定义的等值电导参数将闪络的发展划分为欧姆电导、局部闪络和贯通闪络3个阶段;通过对表面细丝电流的热过程进行实验和仿真研究,认为表面细丝电流通道的温度可以接近材料熔点,这一结果同时也支持了表面发热导致气体分子解吸附的假设;进一步通过气体解吸附的实验初步确定了存在外部的闪络通道.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-03-30

高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展

  • 西安交通大学,电气工程学院,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

摘要: 综述了国内外半导体沿面闪络的研究现状,阐述了电极结构的类型和影响闪络的主要因素;根据自定义的等值电导参数将闪络的发展划分为欧姆电导、局部闪络和贯通闪络3个阶段;通过对表面细丝电流的热过程进行实验和仿真研究,认为表面细丝电流通道的温度可以接近材料熔点,这一结果同时也支持了表面发热导致气体分子解吸附的假设;进一步通过气体解吸附的实验初步确定了存在外部的闪络通道.

English Abstract

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