高级搜索

低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响

,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

白云, 乔辉, 李向阳, 龚海梅. 2007: 低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响, 强激光与粒子束, 19(2): 301-304.
引用本文: 白云, 乔辉, 李向阳, 龚海梅. 2007: 低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响, 强激光与粒子束, 19(2): 301-304.
shu
BAI Yun, QIAO Hui, LI Xiang-yang, GONG Hai-mei. 2007: Effect of annealing on HgCdTe device after γ irradiation, High Power Lase and Particle Beams, 19(2): 301-304.
Citation: BAI Yun, QIAO Hui, LI Xiang-yang, GONG Hai-mei. 2007: Effect of annealing on HgCdTe device after γ irradiation, High Power Lase and Particle Beams, 19(2): 301-304.
shu

低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响

  • 中国科学院,上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院,研究生院,北京,100039

  • 中国科学院,上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083

Effect of annealing on HgCdTe device after γ irradiation

  • 摘要: 研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响.经过剂量为1 Mrad的辐照后,器件的性能下降.对经过辐照的器件进行低温退火,退火温度范围为313～333 K,退火时间在5～16 h之间不等.在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和响应光谱.通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化,分析了退火对器件的γ辐照效应的影响.实验表明:低温退火对辐照引起的性能的下降有一定的恢复作用.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  324
  • HTML全文浏览数:  17
  • PDF下载数:  5
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2007-02-28

低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响

  • 中国科学院,上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院,研究生院,北京,100039
  • 中国科学院,上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083

摘要: 研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响.经过剂量为1 Mrad的辐照后,器件的性能下降.对经过辐照的器件进行低温退火,退火温度范围为313～333 K,退火时间在5～16 h之间不等.在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和响应光谱.通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化,分析了退火对器件的γ辐照效应的影响.实验表明:低温退火对辐照引起的性能的下降有一定的恢复作用.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回