高级搜索

X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究

, 

downloadPDF

上一篇

下一篇

牟维兵, 徐曦. 2007: X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究, 强激光与粒子束, 19(2): 318-320.
引用本文: 牟维兵, 徐曦. 2007: X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究, 强激光与粒子束, 19(2): 318-320.
shu
MU Wei-bing, XU Xi. 2007: 80C196KC20 microprocessor irradiated by X-ray in different directions, High Power Lase and Particle Beams, 19(2): 318-320.
Citation: MU Wei-bing, XU Xi. 2007: 80C196KC20 microprocessor irradiated by X-ray in different directions, High Power Lase and Particle Beams, 19(2): 318-320.
shu

X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究

  • 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900

80C196KC20 microprocessor irradiated by X-ray in different directions

  • 摘要: 为明确X射线不同方向入射对器件的影响,利用中国测试技术研究院的直流SJ-A X光机产生的X射线,从与垂直80C196KC20单片机表面不同方向角度对单片机进行辐照试验.试验结果显示,随着辐照角度由0°增加到90°,单片机所受的影响逐渐减小,90°时最不明显,表明此种单片机外壳在对其X射线总剂量效应的影响最大,原因在于X射线在不同方向照射时,需要穿过不同厚度的封套材料,X射线在此过程受到的衰减不同.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  414
  • HTML全文浏览数:  14
  • PDF下载数:  77
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2007-02-28

X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究

  • 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900

摘要: 为明确X射线不同方向入射对器件的影响,利用中国测试技术研究院的直流SJ-A X光机产生的X射线,从与垂直80C196KC20单片机表面不同方向角度对单片机进行辐照试验.试验结果显示,随着辐照角度由0°增加到90°,单片机所受的影响逐渐减小,90°时最不明显,表明此种单片机外壳在对其X射线总剂量效应的影响最大,原因在于X射线在不同方向照射时,需要穿过不同厚度的封套材料,X射线在此过程受到的衰减不同.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回