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微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究

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杨洁, 王长河, 刘尚合, LIU Shang-he. 2007: 微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究, 强激光与粒子束, 19(1): 99-102.
引用本文: 杨洁, 王长河, 刘尚合, LIU Shang-he. 2007: 微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究, 强激光与粒子束, 19(1): 99-102.
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2007: Electromagnetic pulse sensitive ports of micro-wave low-noise transistors, High Power Lase and Particle Beams, 19(1): 99-102.
Citation: 2007: Electromagnetic pulse sensitive ports of micro-wave low-noise transistors, High Power Lase and Particle Beams, 19(1): 99-102.
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微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究

  • 军械工程学院,静电与电磁防护研究所,石家庄,050003

  • 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050000

Electromagnetic pulse sensitive ports of micro-wave low-noise transistors

  • 摘要: 在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极).通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数.而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成.从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-01-30

微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究

  • 军械工程学院,静电与电磁防护研究所,石家庄,050003
  • 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050000

摘要: 在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极).通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数.而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成.从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感.

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