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绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制

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谢爱根, 郭胜利, 李传起, 裴元吉. 2007: 绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制, 强激光与粒子束, 19(1): 134-138.
引用本文: 谢爱根, 郭胜利, 李传起, 裴元吉. 2007: 绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制, 强激光与粒子束, 19(1): 134-138.
shu
XIE Ai-gen, GUO Sheng-li, LI Chuan-qi, PEI Yuan-ji. 2007: Device for measuring secondary electron emission yield of insulator, High Power Lase and Particle Beams, 19(1): 134-138.
Citation: XIE Ai-gen, GUO Sheng-li, LI Chuan-qi, PEI Yuan-ji. 2007: Device for measuring secondary electron emission yield of insulator, High Power Lase and Particle Beams, 19(1): 134-138.
shu

绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制

  • 南京信息工程大学,物理系,南京,210044

  • 中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029

Device for measuring secondary electron emission yield of insulator

  • 摘要: 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8～60 keV.采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8～45 keV的多晶MgO的二次电子发射系数.测量中,收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35 mm,偏置电压设置为 45 V.测量得到:用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83,处于 2～26范围内,其对应的原电子能量约为980 eV.这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的,但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低,这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-01-30

绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制

  • 南京信息工程大学,物理系,南京,210044
  • 中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029

摘要: 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8～60 keV.采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8～45 keV的多晶MgO的二次电子发射系数.测量中,收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35 mm,偏置电压设置为 45 V.测量得到:用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83,处于 2～26范围内,其对应的原电子能量约为980 eV.这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的,但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低,这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的.

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