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Al掺杂原子分数及退火温度对ZnO薄膜光学特性的影响

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薛书文, 祖小涛, 陈美艳, 邓宏, 向霞, 徐自强. 2007: Al掺杂原子分数及退火温度对ZnO薄膜光学特性的影响, 强激光与粒子束, 19(1): 142-146.
引用本文: 薛书文, 祖小涛, 陈美艳, 邓宏, 向霞, 徐自强. 2007: Al掺杂原子分数及退火温度对ZnO薄膜光学特性的影响, 强激光与粒子束, 19(1): 142-146.
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XUE Shu-wen, ZU Xiao-tao, CHEN Mei-yan, DENG Hong, XIANG Xia, XU Zi-qiang. 2007: Effects of annealing temperature and Al doping concentration on the optical properties of ZnO thin films by sol-gel technique, High Power Lase and Particle Beams, 19(1): 142-146.
Citation: XUE Shu-wen, ZU Xiao-tao, CHEN Mei-yan, DENG Hong, XIANG Xia, XU Zi-qiang. 2007: Effects of annealing temperature and Al doping concentration on the optical properties of ZnO thin films by sol-gel technique, High Power Lase and Particle Beams, 19(1): 142-146.
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Al掺杂原子分数及退火温度对ZnO薄膜光学特性的影响

  • 湛江师范学院,物理系,广东,湛江,524048

  • 电子科技大学,应用物理系,成都,610054

  • 电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054

Effects of annealing temperature and Al doping concentration on the optical properties of ZnO thin films by sol-gel technique

  • 摘要: 采用溶胶凝胶法在(0001)Al2O3衬底上制备了不同掺杂原子分数的ZnO:Al薄膜,在Ar气氛中进行了600～950 ℃不同温度的退火处理,研究了掺杂原子分数和退火温度对薄膜光致发光、光吸收和透射的影响.结果显示,薄膜的紫外峰强度随掺杂原子分数和退火温度的提高而增强,与缺陷相关的绿光强度却随着掺杂原子分数和退火温度的提高而降低;薄膜光学带隙随掺杂原子分数的提高从3.21 eV增大到3.25 eV;光吸收在可见光区随着退火温度的升高而增大,在紫外区却随着退火温度的升高而减小,透射与吸收的变化规律相反;薄膜吸收边随退火温度的升高出现轻微的红移.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-01-30

Al掺杂原子分数及退火温度对ZnO薄膜光学特性的影响

  • 湛江师范学院,物理系,广东,湛江,524048
  • 电子科技大学,应用物理系,成都,610054
  • 电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054

摘要: 采用溶胶凝胶法在(0001)Al2O3衬底上制备了不同掺杂原子分数的ZnO:Al薄膜,在Ar气氛中进行了600～950 ℃不同温度的退火处理,研究了掺杂原子分数和退火温度对薄膜光致发光、光吸收和透射的影响.结果显示,薄膜的紫外峰强度随掺杂原子分数和退火温度的提高而增强,与缺陷相关的绿光强度却随着掺杂原子分数和退火温度的提高而降低;薄膜光学带隙随掺杂原子分数的提高从3.21 eV增大到3.25 eV;光吸收在可见光区随着退火温度的升高而增大,在紫外区却随着退火温度的升高而减小,透射与吸收的变化规律相反;薄膜吸收边随退火温度的升高出现轻微的红移.

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