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高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响

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张寒峭, 黄卡玛. 2006: 高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响, 强激光与粒子束, 18(11): 1873-1878.
引用本文: 张寒峭, 黄卡玛. 2006: 高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响, 强激光与粒子束, 18(11): 1873-1878.
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ZHANG Han-qiao, HUANG Ka-ma. 2006: Numerical simulation of the influence of high power electromagnetic pulses on GaAs MESFET, High Power Lase and Particle Beams, 18(11): 1873-1878.
Citation: ZHANG Han-qiao, HUANG Ka-ma. 2006: Numerical simulation of the influence of high power electromagnetic pulses on GaAs MESFET, High Power Lase and Particle Beams, 18(11): 1873-1878.
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高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响

  • 四川大学,电子信息学院,成都,610064

Numerical simulation of the influence of high power electromagnetic pulses on GaAs MESFET

  • 摘要: 采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程.研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响,对比了各种不同脉冲作用下场效应管性能的变化规律.该方法克服了传统电路模型无法模拟电磁波与器件内部活动粒子作用过程的缺点,可以直接模拟器件温度和散射参数在高功率电磁脉冲辐射下的时域变化过程.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-11-30

高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响

  • 四川大学,电子信息学院,成都,610064

摘要: 采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程.研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响,对比了各种不同脉冲作用下场效应管性能的变化规律.该方法克服了传统电路模型无法模拟电磁波与器件内部活动粒子作用过程的缺点,可以直接模拟器件温度和散射参数在高功率电磁脉冲辐射下的时域变化过程.

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