脉冲强激光破坏Hg0.8Cd0.2Te晶片材料的机理分析

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蔡虎, 程祖海, 朱海红, 左都罗. 2006: 脉冲强激光破坏Hg0.8Cd0.2Te晶片材料的机理分析, 强激光与粒子束, 18(6): 927-930.
引用本文: 蔡虎, 程祖海, 朱海红, 左都罗. 2006: 脉冲强激光破坏Hg0.8Cd0.2Te晶片材料的机理分析, 强激光与粒子束, 18(6): 927-930.
CAI Hu, CHENG Zu-hai, ZHU Hai-hong, ZUO Du-luo. 2006: Destruction mechanism of Hg0.8Cd0.2Te induced by high power pulsed TEA-CO2 laser, High Power Lase and Particle Beams, 18(6): 927-930.
Citation: CAI Hu, CHENG Zu-hai, ZHU Hai-hong, ZUO Du-luo. 2006: Destruction mechanism of Hg0.8Cd0.2Te induced by high power pulsed TEA-CO2 laser, High Power Lase and Particle Beams, 18(6): 927-930.

脉冲强激光破坏Hg0.8Cd0.2Te晶片材料的机理分析

Destruction mechanism of Hg0.8Cd0.2Te induced by high power pulsed TEA-CO2 laser

  • 摘要: 利用光学金相显微镜对TEA-CO2脉冲强激光辐照的Hg0.8Cd0.2Te晶片表面进行了观察.在单脉冲能量为37.5 J,能量密度为937.5 J/cm2的强激光辐照下,晶片表面呈现出熔融迹象和大量的微裂纹,微裂纹密度从激光辐照区中心向外逐渐减少,裂纹沿晶体的(111)面扩展.随着脉冲连续作用次数的增加,晶片表面熔融更加剧烈,裂纹数目、裂纹深度和宽度都有所增加.分析认为:HgCdTe晶片的破坏与激光辐照能量、脉冲连续作用次数、激光场强分布、激光热应力、激光支持的燃烧波和物质的蒸发波等冲击波有关.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-06-30

脉冲强激光破坏Hg0.8Cd0.2Te晶片材料的机理分析

  • 华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074

摘要: 利用光学金相显微镜对TEA-CO2脉冲强激光辐照的Hg0.8Cd0.2Te晶片表面进行了观察.在单脉冲能量为37.5 J,能量密度为937.5 J/cm2的强激光辐照下,晶片表面呈现出熔融迹象和大量的微裂纹,微裂纹密度从激光辐照区中心向外逐渐减少,裂纹沿晶体的(111)面扩展.随着脉冲连续作用次数的增加,晶片表面熔融更加剧烈,裂纹数目、裂纹深度和宽度都有所增加.分析认为:HgCdTe晶片的破坏与激光辐照能量、脉冲连续作用次数、激光场强分布、激光热应力、激光支持的燃烧波和物质的蒸发波等冲击波有关.

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