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超高速大电流半导体开关实验研究

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周郁明, 余岳辉, 梁琳, 陈海刚. 2006: 超高速大电流半导体开关实验研究, 强激光与粒子束, 18(3): 447-450.
引用本文: 周郁明, 余岳辉, 梁琳, 陈海刚. 2006: 超高速大电流半导体开关实验研究, 强激光与粒子束, 18(3): 447-450.
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ZHOU Yu-ming, YU Yue-hui, LIANG Lin, CHEN Hai-gang. 2006: Experimental investigation of ultrafast and high current semiconductor switch, High Power Lase and Particle Beams, 18(3): 447-450.
Citation: ZHOU Yu-ming, YU Yue-hui, LIANG Lin, CHEN Hai-gang. 2006: Experimental investigation of ultrafast and high current semiconductor switch, High Power Lase and Particle Beams, 18(3): 447-450.
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超高速大电流半导体开关实验研究

  • 华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074

Experimental investigation of ultrafast and high current semiconductor switch

  • 摘要: 利用自行研制的固态半导体开关RSD,采用电容储能方式,研究了RSD的电压响应时间、大电流特性、电流上升率等.在测试RSD的电压响应时间时,得到了25 ns的电压下降曲线.在主电容电压为8 kV时,得到峰值为10.1 kA、脉宽为34 μs、电流上升率为2.03 kA/μs的大电流脉冲.通过调整主电路,在主电容为3 kV时,得到的电流脉冲峰值为8.5 kA、脉宽为2.5 μs、电流上升率为7.2 kA/μs.结果表明,RSD是一种开通快、通流能力强、电流上升率高的大功率半导体开关器件.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-03-30

超高速大电流半导体开关实验研究

  • 华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074

摘要: 利用自行研制的固态半导体开关RSD,采用电容储能方式,研究了RSD的电压响应时间、大电流特性、电流上升率等.在测试RSD的电压响应时间时,得到了25 ns的电压下降曲线.在主电容电压为8 kV时,得到峰值为10.1 kA、脉宽为34 μs、电流上升率为2.03 kA/μs的大电流脉冲.通过调整主电路,在主电容为3 kV时,得到的电流脉冲峰值为8.5 kA、脉宽为2.5 μs、电流上升率为7.2 kA/μs.结果表明,RSD是一种开通快、通流能力强、电流上升率高的大功率半导体开关器件.

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