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微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术

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袁国火, 杨怀民, 徐曦, 董秀成. 2006: 微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术, 强激光与粒子束, 18(3): 487-490.
引用本文: 袁国火, 杨怀民, 徐曦, 董秀成. 2006: 微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术, 强激光与粒子束, 18(3): 487-490.
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YUAN Guo-huo, YANG Huai-min, XU Xi, DONG Xiu-cheng. 2006: Total ionizing dose effects and hardening techniques of microcircuit FPGA, High Power Lase and Particle Beams, 18(3): 487-490.
Citation: YUAN Guo-huo, YANG Huai-min, XU Xi, DONG Xiu-cheng. 2006: Total ionizing dose effects and hardening techniques of microcircuit FPGA, High Power Lase and Particle Beams, 18(3): 487-490.
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微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术

  • 西华大学,电气信息学院,成都,610039;中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900

  • 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900

  • 西华大学,电气信息学院,成都,610039

Total ionizing dose effects and hardening techniques of microcircuit FPGA

  • 摘要: 讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy(Si);无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy(Si).对芯片内部结构进行了辐射效应分析,并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和隔离,以及选取适当的屏蔽材料对器件进行屏蔽.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-03-30

微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术

  • 西华大学,电气信息学院,成都,610039;中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900
  • 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900
  • 西华大学,电气信息学院,成都,610039

摘要: 讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy(Si);无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy(Si).对芯片内部结构进行了辐射效应分析,并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和隔离,以及选取适当的屏蔽材料对器件进行屏蔽.

English Abstract

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