高级搜索

沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响

,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

申雁鸣, 贺洪波, 邵淑英, 范正修, 邵建达. 2005: 沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响, 强激光与粒子束, 17(12): 1812-1816.
引用本文: 申雁鸣, 贺洪波, 邵淑英, 范正修, 邵建达. 2005: 沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响, 强激光与粒子束, 17(12): 1812-1816.
shu
SHEN Yan-ming, HE Hong-bo, SHAO Shu-ying, FAN Zheng-xiu, SHAO Jian-da. 2005: Influences of deposition temperature on residual stress of HfO2 films, High Power Lase and Particle Beams, 17(12): 1812-1816.
Citation: SHEN Yan-ming, HE Hong-bo, SHAO Shu-ying, FAN Zheng-xiu, SHAO Jian-da. 2005: Influences of deposition temperature on residual stress of HfO2 films, High Power Lase and Particle Beams, 17(12): 1812-1816.
shu

沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响

  • 中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院,研究生院,北京,100039

  • 中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800

Influences of deposition temperature on residual stress of HfO2 films

  • 摘要: 用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大值.对样品进行了XRD测试,从微观结构上对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素,HfO2薄膜在所选沉积温度60～350℃内出现了晶态转变,堆积密度随温度升高而增大.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  394
  • HTML全文浏览数:  31
  • PDF下载数:  59
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2005-12-30

沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响

  • 中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院,研究生院,北京,100039
  • 中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800

摘要: 用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大值.对样品进行了XRD测试,从微观结构上对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素,HfO2薄膜在所选沉积温度60～350℃内出现了晶态转变,堆积密度随温度升高而增大.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回