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半导体断路开关数值模拟

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何锋, 苏建仓, 李永东, 刘纯亮, 孙鉴. 2005: 半导体断路开关数值模拟, 强激光与粒子束, 17(12): 1893-1896.
引用本文: 何锋, 苏建仓, 李永东, 刘纯亮, 孙鉴. 2005: 半导体断路开关数值模拟, 强激光与粒子束, 17(12): 1893-1896.
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HE Feng, SU Jian-cang, LI Yong-dong, LIU Chun-liang, SUN Jian. 2005: Numerical simulation of semiconductor opening switch, High Power Lase and Particle Beams, 17(12): 1893-1896.
Citation: HE Feng, SU Jian-cang, LI Yong-dong, LIU Chun-liang, SUN Jian. 2005: Numerical simulation of semiconductor opening switch, High Power Lase and Particle Beams, 17(12): 1893-1896.
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半导体断路开关数值模拟

  • 西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049

  • 西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049;西北核技术研究所,陕西,西安,710024

Numerical simulation of semiconductor opening switch

  • 摘要: 为了研究半导体断路开关(SOS)的截断过程及其在脉冲功率系统中的工作特性,建立了半导体断路开关的电流控制模型,对p+-p-n-n+掺杂结构的半导体断路开关进行了数值模拟研究.通过数值模拟,给出了p+-p-n-n+型半导体断路开关在正、反向泵浦过程中的载流子及电场分布,并获得了电流截断效应.计算结果表明,半导体断路开关的截断过程首先发生在p区.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-12-30

半导体断路开关数值模拟

  • 西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049
  • 西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049;西北核技术研究所,陕西,西安,710024

摘要: 为了研究半导体断路开关(SOS)的截断过程及其在脉冲功率系统中的工作特性,建立了半导体断路开关的电流控制模型,对p+-p-n-n+掺杂结构的半导体断路开关进行了数值模拟研究.通过数值模拟,给出了p+-p-n-n+型半导体断路开关在正、反向泵浦过程中的载流子及电场分布,并获得了电流截断效应.计算结果表明,半导体断路开关的截断过程首先发生在p区.

English Abstract

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