采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究

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祖小涛, 封向东, 雷雨, 朱莎, 王鲁闵. 2005: 采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究, 强激光与粒子束, 17(12): 1909-1912.
引用本文: 祖小涛, 封向东, 雷雨, 朱莎, 王鲁闵. 2005: 采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究, 强激光与粒子束, 17(12): 1909-1912.
ZU Xiao-tao, FENG Xiang-dong, LEI Yu, ZHU Sha, WANG Lu-min. 2005: Study on irradiation damage of yttria-stabilized zirconia single crystals using ERP and TEM, High Power Lase and Particle Beams, 17(12): 1909-1912.
Citation: ZU Xiao-tao, FENG Xiang-dong, LEI Yu, ZHU Sha, WANG Lu-min. 2005: Study on irradiation damage of yttria-stabilized zirconia single crystals using ERP and TEM, High Power Lase and Particle Beams, 17(12): 1909-1912.

采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究

Study on irradiation damage of yttria-stabilized zirconia single crystals using ERP and TEM

  • 摘要: 利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应.200keV的Xe和400keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016cm-2.EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和g⊥=1.869、对称轴为[111]的六配位Zr3+顺磁缺陷.Cs辐照产生了比Xe离子辐照多约150倍的六配位Zr3+顺磁缺陷.两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变,但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷.因此,EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160dpa)的情况下,Cs离子辐照比Xe离子辐照产生了更多的缺陷.造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe离子却是惰性的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-12-30

采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究

  • 电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054
  • 四川大学,物理系,四川,成都,610065
  • 美国密西根大学,核工程与放射科学系,安娜堡,MI,48109

摘要: 利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应.200keV的Xe和400keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016cm-2.EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和g⊥=1.869、对称轴为[111]的六配位Zr3+顺磁缺陷.Cs辐照产生了比Xe离子辐照多约150倍的六配位Zr3+顺磁缺陷.两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变,但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷.因此,EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160dpa)的情况下,Cs离子辐照比Xe离子辐照产生了更多的缺陷.造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe离子却是惰性的.

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