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同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析

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章勇华, 杨志强, 李平, 王宏军, 宋晓欣, 宁辉. 2005: 同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析, 强激光与粒子束, 17(2): 233-236.
引用本文: 章勇华, 杨志强, 李平, 王宏军, 宋晓欣, 宁辉. 2005: 同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析, 强激光与粒子束, 17(2): 233-236.
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ZHANG Yong-hua, YANG Zhi-qiang, LI Ping, WANG Hong-jun, SONG Xiao-xin, NING Hui. 2005: Elementary analysis on breakdown phenomenon of coaxial-cable and connector, High Power Lase and Particle Beams, 17(2): 233-236.
Citation: ZHANG Yong-hua, YANG Zhi-qiang, LI Ping, WANG Hong-jun, SONG Xiao-xin, NING Hui. 2005: Elementary analysis on breakdown phenomenon of coaxial-cable and connector, High Power Lase and Particle Beams, 17(2): 233-236.
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同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析

  • 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

Elementary analysis on breakdown phenomenon of coaxial-cable and connector

  • 摘要: 介绍了同轴电缆头和转接头的HPM击穿实验研究方法,给出了几种电缆头和转接头微波击穿功率随微波频率、脉冲宽度、重复频率和脉冲持续时间变化规律的实验研究结果.结果表明:微波击穿发生在同轴电缆头连接处,是电缆接头沿面滑闪,且击穿功率随同轴电缆及转接头尺寸的减小而降低;击穿功率也随微波脉冲宽度(30 ns～1 μs)的增大而减小,并且在100 ns附近有一拐点;在低重复频率(1～1000 Hz)下,重频对击穿功率的影响不大;微波频率在2.856～9.37 GHz变化时,微波频率对击穿功率的影响不明显;微波脉冲宽度较窄时(几十ns以下),击穿功率随持续时间变化不大,脉冲宽度较宽时(百ns以上),击穿阈值随持续时间的增大而下降.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-02-28

同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析

  • 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

摘要: 介绍了同轴电缆头和转接头的HPM击穿实验研究方法,给出了几种电缆头和转接头微波击穿功率随微波频率、脉冲宽度、重复频率和脉冲持续时间变化规律的实验研究结果.结果表明:微波击穿发生在同轴电缆头连接处,是电缆接头沿面滑闪,且击穿功率随同轴电缆及转接头尺寸的减小而降低;击穿功率也随微波脉冲宽度(30 ns～1 μs)的增大而减小,并且在100 ns附近有一拐点;在低重复频率(1～1000 Hz)下,重频对击穿功率的影响不大;微波频率在2.856～9.37 GHz变化时,微波频率对击穿功率的影响不明显;微波脉冲宽度较窄时(几十ns以下),击穿功率随持续时间变化不大,脉冲宽度较宽时(百ns以上),击穿阈值随持续时间的增大而下降.

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