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P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究

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牟维兵, 徐曦. 2005: P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究, 强激光与粒子束, 17(2): 309-312.
引用本文: 牟维兵, 徐曦. 2005: P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究, 强激光与粒子束, 17(2): 309-312.
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MU Wei-bing, XU Xi. 2005: Study of power MOSFET under irradiation condition, High Power Lase and Particle Beams, 17(2): 309-312.
Citation: MU Wei-bing, XU Xi. 2005: Study of power MOSFET under irradiation condition, High Power Lase and Particle Beams, 17(2): 309-312.
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P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究

  • 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900

Study of power MOSFET under irradiation condition

  • 摘要: 通过对P沟道MOS场效应管IRF9530和N沟道MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈值电压变化随吸收剂量近似成一阶指数衰减关系.产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与吸收剂量近似成线性变化,对阈值电压变化和吸收剂量有近似线性的改变;而界面态对空间电荷有补偿作用,其对阈值电压的改变与吸收剂量有近似成二次方的关系.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-02-28

P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究

  • 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900

摘要: 通过对P沟道MOS场效应管IRF9530和N沟道MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈值电压变化随吸收剂量近似成一阶指数衰减关系.产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与吸收剂量近似成线性变化,对阈值电压变化和吸收剂量有近似线性的改变;而界面态对空间电荷有补偿作用,其对阈值电压的改变与吸收剂量有近似成二次方的关系.

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