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PIN管的延迟击穿性能初步实验研究

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孙铁平, 曾正中, 丛培天. 2005: PIN管的延迟击穿性能初步实验研究, 强激光与粒子束, 17(2): 317-320.
引用本文: 孙铁平, 曾正中, 丛培天. 2005: PIN管的延迟击穿性能初步实验研究, 强激光与粒子束, 17(2): 317-320.
shu
SUN Tie-ping, ZENG Zheng-zhong, CONG Pei-tian. 2005: Elementary study of PIN diode as device delayed breakdown, High Power Lase and Particle Beams, 17(2): 317-320.
Citation: SUN Tie-ping, ZENG Zheng-zhong, CONG Pei-tian. 2005: Elementary study of PIN diode as device delayed breakdown, High Power Lase and Particle Beams, 17(2): 317-320.
shu

PIN管的延迟击穿性能初步实验研究

  • 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

Elementary study of PIN diode as device delayed breakdown

  • 摘要: 延迟击穿器件(DBD)是一种新型半导体开关.研究了国产PIN二极管的延迟击穿效应,主要进行了单管、串联双管和串并联多管阵列PIN二极管器件的延迟击穿实验.实验结果显示,单管、双管和多管阵列PIN器件都可以陡化输入脉冲前沿,获得快前沿的输出脉冲.单管工作电压2.2 kV,脉冲前沿陡度由0.95 kV/ns提高到1.37 kV/ns双管工作电压4.2 kV,脉冲前沿陡度由1.7 kV/ns提高到2.3 kV/ns;多管阵列工作电压8.0 kV,脉冲前沿陡度由2.4 kV/ns提高到3.2 kV/ns.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-02-28

PIN管的延迟击穿性能初步实验研究

  • 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

摘要: 延迟击穿器件(DBD)是一种新型半导体开关.研究了国产PIN二极管的延迟击穿效应,主要进行了单管、串联双管和串并联多管阵列PIN二极管器件的延迟击穿实验.实验结果显示,单管、双管和多管阵列PIN器件都可以陡化输入脉冲前沿,获得快前沿的输出脉冲.单管工作电压2.2 kV,脉冲前沿陡度由0.95 kV/ns提高到1.37 kV/ns双管工作电压4.2 kV,脉冲前沿陡度由1.7 kV/ns提高到2.3 kV/ns;多管阵列工作电压8.0 kV,脉冲前沿陡度由2.4 kV/ns提高到3.2 kV/ns.

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