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ICF驱动器长脉冲下三倍频晶体中的横向受激拉曼散射

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李恪宇, 魏晓峰, 蔡邦维, 马驰, 张彬, 吕志伟. 2003: ICF驱动器长脉冲下三倍频晶体中的横向受激拉曼散射, 强激光与粒子束, 15(8): 776-780.
引用本文: 李恪宇, 魏晓峰, 蔡邦维, 马驰, 张彬, 吕志伟. 2003: ICF驱动器长脉冲下三倍频晶体中的横向受激拉曼散射, 强激光与粒子束, 15(8): 776-780.
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2003: Transverse stimulated Raman scattering in tripler of ICF driver for long pulse, High Power Lase and Particle Beams, 15(8): 776-780.
Citation: 2003: Transverse stimulated Raman scattering in tripler of ICF driver for long pulse, High Power Lase and Particle Beams, 15(8): 776-780.
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ICF驱动器长脉冲下三倍频晶体中的横向受激拉曼散射

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;四川大学,电子信息学院,四川,成都,610064

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;哈尔滨工业大学,光电子技术研究所,黑龙江,哈尔滨,150001

  • 四川大学,电子信息学院,四川,成都,610064

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900

  • 哈尔滨工业大学,光电子技术研究所,黑龙江,哈尔滨,150001

Transverse stimulated Raman scattering in tripler of ICF driver for long pulse

  • 摘要: ICF驱动器在脉宽为3ns的长脉冲条件下运行时,三倍频晶体中的横向受激拉曼散射效应将比短脉冲条件下的效应更为显著.针对长脉冲运行时,KDP晶体和KD*P晶体产生的横向受激拉曼散射光对晶体的危害性作了对比分析,并研究了横向受激拉曼散射效应与增益系数之间的关系,为选择何种晶体作为三倍频晶体提供了理论依据.
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-08-30

ICF驱动器长脉冲下三倍频晶体中的横向受激拉曼散射

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;四川大学,电子信息学院,四川,成都,610064
  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;哈尔滨工业大学,光电子技术研究所,黑龙江,哈尔滨,150001
  • 四川大学,电子信息学院,四川,成都,610064
  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
  • 哈尔滨工业大学,光电子技术研究所,黑龙江,哈尔滨,150001

摘要: ICF驱动器在脉宽为3ns的长脉冲条件下运行时,三倍频晶体中的横向受激拉曼散射效应将比短脉冲条件下的效应更为显著.针对长脉冲运行时,KDP晶体和KD*P晶体产生的横向受激拉曼散射光对晶体的危害性作了对比分析,并研究了横向受激拉曼散射效应与增益系数之间的关系,为选择何种晶体作为三倍频晶体提供了理论依据.

English Abstract

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