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强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除

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杨志安, 靳涛, 李英俊, 姚育娟, 罗尹虹. 2002: 强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除, 强激光与粒子束, 14(4): 521-525.
引用本文: 杨志安, 靳涛, 李英俊, 姚育娟, 罗尹虹. 2002: 强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除, 强激光与粒子束, 14(4): 521-525.
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2002: Radiation-induced interface states of Si-SiO2 by intense pulse X-ray and their annealing, High Power Lase and Particle Beams, 14(4): 521-525.
Citation: 2002: Radiation-induced interface states of Si-SiO2 by intense pulse X-ray and their annealing, High Power Lase and Particle Beams, 14(4): 521-525.
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强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除

  • 济南大学,理学院,山东,济南,250022

  • 中国科学院,新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐,830011

  • 中国矿业大学,基础系,北京,100083

  • 西北核技术所,陕西,西安,710024

Radiation-induced interface states of Si-SiO2 by intense pulse X-ray and their annealing

  • 摘要: 利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线.实验显示:经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象.总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为.退火实验表明;强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除得越快.退火过程显示有滞后现象,即辐照剂量大的阈电压漂移,在退火后恢复的绝对值,要小于辐照剂量小的阈电压漂移.导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系,定性解释了滞后现象.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-07-30

强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除

  • 济南大学,理学院,山东,济南,250022
  • 中国科学院,新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
  • 中国矿业大学,基础系,北京,100083
  • 西北核技术所,陕西,西安,710024

摘要: 利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线.实验显示:经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象.总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为.退火实验表明;强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除得越快.退火过程显示有滞后现象,即辐照剂量大的阈电压漂移,在退火后恢复的绝对值,要小于辐照剂量小的阈电压漂移.导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系,定性解释了滞后现象.

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