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微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟

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郭红霞, 张义门, 陈雨生, 周辉, 陈世斌, 龚仁喜, 关颖, 韩福斌, 龚建成. 2002: 微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟, 强激光与粒子束, 14(1): 16-20.
引用本文: 郭红霞, 张义门, 陈雨生, 周辉, 陈世斌, 龚仁喜, 关颖, 韩福斌, 龚建成. 2002: 微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟, 强激光与粒子束, 14(1): 16-20.
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2002: Two-dimensional numerical simulation of microcircuit pn junctions transient radiation response, High Power Lase and Particle Beams, 14(1): 16-20.
Citation: 2002: Two-dimensional numerical simulation of microcircuit pn junctions transient radiation response, High Power Lase and Particle Beams, 14(1): 16-20.
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微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟

  • 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071;西北核技术研究所,陕西,西安,710024

  • 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071

  • 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

Two-dimensional numerical simulation of microcircuit pn junctions transient radiation response

  • 摘要: 用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应,这些效应对于高阻材料是不容忽视的.该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-01-30

微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟

  • 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071;西北核技术研究所,陕西,西安,710024
  • 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071
  • 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

摘要: 用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应,这些效应对于高阻材料是不容忽视的.该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段.

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