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半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验

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贺朝会, 耿斌, 杨海亮, 陈晓华, 张正选, 李国政. 2002: 半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验, 强激光与粒子束, 14(1): 146-150.
引用本文: 贺朝会, 耿斌, 杨海亮, 陈晓华, 张正选, 李国政. 2002: 半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验, 强激光与粒子束, 14(1): 146-150.
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2002: Accelerators simulation experiment on single event effects in semiconductor devices, High Power Lase and Particle Beams, 14(1): 146-150.
Citation: 2002: Accelerators simulation experiment on single event effects in semiconductor devices, High Power Lase and Particle Beams, 14(1): 146-150.
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半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验

  • 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

Accelerators simulation experiment on single event effects in semiconductor devices

  • 摘要: 着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法.采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级,从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求.研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题.实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为10 -14 cm2·bit -1 量级,单粒子翻转重离子LET阈值为4～8MeV·cm2/mg,重离子单粒子翻转饱和截面为10 -7 cm2·bit -1 量级.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-01-30

半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验

  • 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

摘要: 着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法.采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级,从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求.研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题.实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为10 -14 cm2·bit -1 量级,单粒子翻转重离子LET阈值为4～8MeV·cm2/mg,重离子单粒子翻转饱和截面为10 -7 cm2·bit -1 量级.

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