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用光激开关产生一高功率亚纳秒电脉冲的研究

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施卫, 赵卫, 张显斌. 2001: 用光激开关产生一高功率亚纳秒电脉冲的研究, 强激光与粒子束, 13(6): 734-738.
引用本文: 施卫, 赵卫, 张显斌. 2001: 用光激开关产生一高功率亚纳秒电脉冲的研究, 强激光与粒子束, 13(6): 734-738.
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2001: Investigation of high power sub-nanosecond electrical pulse generated by GaAs photoconductive switches, High Power Lase and Particle Beams, 13(6): 734-738.
Citation: 2001: Investigation of high power sub-nanosecond electrical pulse generated by GaAs photoconductive switches, High Power Lase and Particle Beams, 13(6): 734-738.
shu

用光激开关产生一高功率亚纳秒电脉冲的研究

  • 西安理工大学应用物理系,

Investigation of high power sub-nanosecond electrical pulse generated by GaAs photoconductive switches

  • 摘要: 报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘GaAs光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果.8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达30kV.分别用ns,ps和fs激光脉冲触发开关的测试表明,开关输出电磁脉冲无晃动.3mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns;在偏置电压2000伏,光脉冲宽度8ns,能量1.2mJ的触发条件下,峰值电流达560A.用重复频率为76MHz和108Hz的光脉冲序列触发开关也获得清晰的电流脉冲序列.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-11-30

用光激开关产生一高功率亚纳秒电脉冲的研究

  • 西安理工大学应用物理系,

摘要: 报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘GaAs光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果.8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达30kV.分别用ns,ps和fs激光脉冲触发开关的测试表明,开关输出电磁脉冲无晃动.3mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns;在偏置电压2000伏,光脉冲宽度8ns,能量1.2mJ的触发条件下,峰值电流达560A.用重复频率为76MHz和108Hz的光脉冲序列触发开关也获得清晰的电流脉冲序列.

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