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类镍钆(Gd36＋)离子的双电子复合系数研究

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焦荣珍, 程新路, 杨向东, 孟川民, 杨国洪. 2001: 类镍钆(Gd36＋)离子的双电子复合系数研究, 强激光与粒子束, 13(5): 646-648.
引用本文: 焦荣珍, 程新路, 杨向东, 孟川民, 杨国洪. 2001: 类镍钆(Gd36＋)离子的双电子复合系数研究, 强激光与粒子束, 13(5): 646-648.
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2001: Dielectronic recombination coefficients of Ni-like Gd36+ ions, High Power Lase and Particle Beams, 13(5): 646-648.
Citation: 2001: Dielectronic recombination coefficients of Ni-like Gd36+ ions, High Power Lase and Particle Beams, 13(5): 646-648.
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类镍钆(Gd36＋)离子的双电子复合系数研究

  • 四川大学原子分子物理研究所,

  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,

Dielectronic recombination coefficients of Ni-like Gd36+ ions

  • 摘要: 在自旋轨道劈裂阵模型下，通过类铜组态理论计算出类镍Gd36+的双电子复合速率系数，得出其在电子温度 0.02～5.00keV 范围内的变化规律，影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的自电离系数和离化势。这为等离子体的诊断提供了一种新的方法。
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-09-30

类镍钆(Gd36＋)离子的双电子复合系数研究

  • 四川大学原子分子物理研究所,
  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,

摘要: 在自旋轨道劈裂阵模型下，通过类铜组态理论计算出类镍Gd36+的双电子复合速率系数，得出其在电子温度 0.02～5.00keV 范围内的变化规律，影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的自电离系数和离化势。这为等离子体的诊断提供了一种新的方法。

English Abstract

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