高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术

唐淳; 武德勇; 严地勇; 杨森林; 邵英斌; 杨成龙

强激光与粒子束

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唐淳, 武德勇, 严地勇, 杨森林, 邵英斌, 杨成龙. 2000: 高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术, 强激光与粒子束, 12(5): 544-546.

引用本文:

唐淳, 武德勇, 严地勇, 杨森林, 邵英斌, 杨成龙. 2000: 高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术, 强激光与粒子束, 12(5): 544-546.

TANGChun, WUDe-yong, YANDi-yong, YANGSen-lin, SHAOYing-bin, YANGCheng-long. 2000: High-Duty Cycle, High-Power Linear Array Diode Laser Package Technique, High Power Lase and Particle Beams, 12(5): 544-546.

Citation:

TANGChun, WUDe-yong, YANDi-yong, YANGSen-lin, SHAOYing-bin, YANGCheng-long. 2000: High-Duty Cycle, High-Power Linear Array Diode Laser Package Technique, High Power Lase and Particle Beams, 12(5): 544-546.

高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术

中物院应用电子学研究所,绵阳919-1013信箱,621900;浙江大学光电信息工程学系光电子技术所,310027
中物院应用电子学研究所,绵阳919-1013信箱,621900

High-Duty Cycle, High-Power Linear Array Diode Laser Package Technique

摘要: 对高占空比、高功率线阵二极管激光器的封装技术进行了研究,给出了封装器件性能测试结果:在占空比20%(200μs,1000Hz)时获得峰值功率大于40W的激光输出,100～1000Hz重复频率下,输出激光中心波长为805～808nm,谱线宽度3.2～4.2nm,激光起伏小于1%.
- 线阵二极管激光器 /
- 高占空比 /
- 封装