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驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜

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周斌, 韩明, 陆卫昌, 徐平, 赖珍荃, 沈军, 邓忠生, 吴广明, 张勤远, 陈玲燕, 王珏. 2000: 驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜, 强激光与粒子束, 12(2): 181-184.
引用本文: 周斌, 韩明, 陆卫昌, 徐平, 赖珍荃, 沈军, 邓忠生, 吴广明, 张勤远, 陈玲燕, 王珏. 2000: 驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜, 强激光与粒子束, 12(2): 181-184.
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ZHOU Bin, HAN Ming, LU Wei-chang, XU Ping, LAI Zhen-quan, SHEN Jun, DENG Zhong-sheng, WU Guang-ming, ZHANG Qin-yuan, CHEN Ling-yan, WANG Jue. 2000: THIN SILICON FOIL USED TO STUDY THE SPATIAL NONUNIFORMITY IN THE DRIVEN INTENSITY, High Power Lase and Particle Beams, 12(2): 181-184.
Citation: ZHOU Bin, HAN Ming, LU Wei-chang, XU Ping, LAI Zhen-quan, SHEN Jun, DENG Zhong-sheng, WU Guang-ming, ZHANG Qin-yuan, CHEN Ling-yan, WANG Jue. 2000: THIN SILICON FOIL USED TO STUDY THE SPATIAL NONUNIFORMITY IN THE DRIVEN INTENSITY, High Power Lase and Particle Beams, 12(2): 181-184.
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驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜

  • 同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092

  • 中科院上海冶金所,上海,200050

THIN SILICON FOIL USED TO STUDY THE SPATIAL NONUNIFORMITY IN THE DRIVEN INTENSITY

  • 摘要: 介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对Si片的定向自截止腐蚀,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑Si平面薄膜的工艺.通过台阶仪测量厚度在3～4μm的Si平面薄膜,在扫描范围为1000μm时,它的表面粗糙度为几十纳米;SEM测量表明,Si薄膜表面颗粒度在纳米量级;探讨了采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低Si膜表面粗糙度的方法.
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出版历程
  • 刊出日期:  2000-03-30

驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜

  • 同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092
  • 中科院上海冶金所,上海,200050

摘要: 介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对Si片的定向自截止腐蚀,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑Si平面薄膜的工艺.通过台阶仪测量厚度在3～4μm的Si平面薄膜,在扫描范围为1000μm时,它的表面粗糙度为几十纳米;SEM测量表明,Si薄膜表面颗粒度在纳米量级;探讨了采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低Si膜表面粗糙度的方法.

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