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基于两步退火法提升Al/n+Ge欧姆接触及 Gen+/p结二极管性能

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王尘, 许怡红, 李成, 林海军, 赵铭杰. 2019: 基于两步退火法提升Al/n+Ge欧姆接触及 Gen+/p结二极管性能, 物理学报, 68(17): 281-286. doi: 10.7498/aps.68.20190699
引用本文: 王尘, 许怡红, 李成, 林海军, 赵铭杰. 2019: 基于两步退火法提升Al/n+Ge欧姆接触及 Gen+/p结二极管性能, 物理学报, 68(17): 281-286. doi: 10.7498/aps.68.20190699
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Wang Chen, Xu Yi-Hong, Li Cheng, Lin Hai-Jun, Zhao Ming-Jie. 2019: Improved performance of Al/n+Ge Ohmic contact and Ge n+/p diode by two-step annealing method, Acta Physica Sinica, 68(17): 281-286. doi: 10.7498/aps.68.20190699
Citation: Wang Chen, Xu Yi-Hong, Li Cheng, Lin Hai-Jun, Zhao Ming-Jie. 2019: Improved performance of Al/n+Ge Ohmic contact and Ge n+/p diode by two-step annealing method, Acta Physica Sinica, 68(17): 281-286. doi: 10.7498/aps.68.20190699
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基于两步退火法提升Al/n+Ge欧姆接触及 Gen+/p结二极管性能

  • 厦门理工学院光电与通信工程学院, 福建省光电信息材料与器件重点实验室, 厦门 361024

  • 厦门工学院电子信息工程系,厦门,361024

  • 厦门大学物理学系, 半导体光子学研究中心, 厦门 361005

Improved performance of Al/n+Ge Ohmic contact and Ge n+/p diode by two-step annealing method

  • 摘要: 锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10–6Ω·cm2,Ge n+/p结二极管在 ±1 V的整流比提高到8.35×106,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.
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出版历程

基于两步退火法提升Al/n+Ge欧姆接触及 Gen+/p结二极管性能

  • 厦门理工学院光电与通信工程学院, 福建省光电信息材料与器件重点实验室, 厦门 361024
  • 厦门工学院电子信息工程系,厦门,361024
  • 厦门大学物理学系, 半导体光子学研究中心, 厦门 361005

摘要: 锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10–6Ω·cm2,Ge n+/p结二极管在 ±1 V的整流比提高到8.35×106,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.

English Abstract

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