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二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究

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郭丽娟, 胡吉松, 马新国, 项炬. 2019: 二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究, 物理学报, 68(9): 215-223. doi: 10.7498/aps.68.20190020
引用本文: 郭丽娟, 胡吉松, 马新国, 项炬. 2019: 二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究, 物理学报, 68(9): 215-223. doi: 10.7498/aps.68.20190020
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Guo Li-Juan, Hu Ji-Song, Ma Xin-Guo, Xiang Ju. 2019: Interfacial interaction and Schottky contact of two-dimensional WS2/graphene heterostructure, Acta Physica Sinica, 68(9): 215-223. doi: 10.7498/aps.68.20190020
Citation: Guo Li-Juan, Hu Ji-Song, Ma Xin-Guo, Xiang Ju. 2019: Interfacial interaction and Schottky contact of two-dimensional WS2/graphene heterostructure, Acta Physica Sinica, 68(9): 215-223. doi: 10.7498/aps.68.20190020
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二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究

  • 长沙医学院基础医学院,长沙410219;长沙医学院,新型药物制剂研发湖南省重点实验室培育基地,长沙410219

  • 湖北工业大学理学院,武汉,430068

Interfacial interaction and Schottky contact of two-dimensional WS2/graphene heterostructure

  • 摘要: 采用第一性原理方法研究了二硫化钨/石墨烯异质结的界面结合作用以及电子性质,结果表明在二硫化钨/石墨烯异质结中,其界面相互作用是微弱的范德瓦耳斯力.能带计算结果显示异质结中二硫化钨和石墨烯各自的电子性质得到了保留,同时,由于石墨烯的结合作用,二硫化钨呈现出n型半导体.通过改变界面的层间距可以调控二硫化钼/石墨烯异质结的肖特基势垒类型,层间距增大,肖特基将从p型转变为n型接触.三维电荷密度差分图表明,负电荷聚集在二硫化钨附近,正电荷聚集在石墨烯附近,从而在界面处形成内建电场.肖特基势垒变化与界面电荷流动密切相关,平面平均电荷密度差分图显示,随着层间距逐渐增大,界面电荷转移越来越弱,且空间电荷聚集区位置向石墨烯层方向靠近,导致费米能级向上平移,证实了肖特基势垒随着层间距的增加由p型接触向n型转变.本文的研究结果将为二维范德瓦耳斯场效应管的设计与制作提供指导.
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出版历程

二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究

  • 长沙医学院基础医学院,长沙410219;长沙医学院,新型药物制剂研发湖南省重点实验室培育基地,长沙410219
  • 湖北工业大学理学院,武汉,430068

摘要: 采用第一性原理方法研究了二硫化钨/石墨烯异质结的界面结合作用以及电子性质,结果表明在二硫化钨/石墨烯异质结中,其界面相互作用是微弱的范德瓦耳斯力.能带计算结果显示异质结中二硫化钨和石墨烯各自的电子性质得到了保留,同时,由于石墨烯的结合作用,二硫化钨呈现出n型半导体.通过改变界面的层间距可以调控二硫化钼/石墨烯异质结的肖特基势垒类型,层间距增大,肖特基将从p型转变为n型接触.三维电荷密度差分图表明,负电荷聚集在二硫化钨附近,正电荷聚集在石墨烯附近,从而在界面处形成内建电场.肖特基势垒变化与界面电荷流动密切相关,平面平均电荷密度差分图显示,随着层间距逐渐增大,界面电荷转移越来越弱,且空间电荷聚集区位置向石墨烯层方向靠近,导致费米能级向上平移,证实了肖特基势垒随着层间距的增加由p型接触向n型转变.本文的研究结果将为二维范德瓦耳斯场效应管的设计与制作提供指导.

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