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单根SnO2纳米线器件的电输运性能及其机理研究

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陈亚琦, 许华慨, 唐东升, 余芳, 雷乐, 欧阳钢. 2018: 单根SnO2纳米线器件的电输运性能及其机理研究, 物理学报, 67(24): 188-197. doi: 10.7498/aps.67.20181402
引用本文: 陈亚琦, 许华慨, 唐东升, 余芳, 雷乐, 欧阳钢. 2018: 单根SnO2纳米线器件的电输运性能及其机理研究, 物理学报, 67(24): 188-197. doi: 10.7498/aps.67.20181402
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Chen Ya-Qi, Xu Hua-Kai, Tang Dong-Sheng, Yu Fang, Lei Le, Ouyang Gang. 2018: Electrical transport properties and related mechanism of single SnO2 nanowire device, Acta Physica Sinica, 67(24): 188-197. doi: 10.7498/aps.67.20181402
Citation: Chen Ya-Qi, Xu Hua-Kai, Tang Dong-Sheng, Yu Fang, Lei Le, Ouyang Gang. 2018: Electrical transport properties and related mechanism of single SnO2 nanowire device, Acta Physica Sinica, 67(24): 188-197. doi: 10.7498/aps.67.20181402
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单根SnO2纳米线器件的电输运性能及其机理研究

  • 湘南学院电子信息与电气工程学院,郴州 423000;湖南师范大学物理与电子科学学院,低维量子结构与调控教育部重点实验室,长沙 410006

  • 湖南师范大学物理与电子科学学院,低维量子结构与调控教育部重点实验室,长沙 410006

Electrical transport properties and related mechanism of single SnO2 nanowire device

  • 摘要: 为探究常态环境下氧空位对单根SnO2纳米线电输运性能的影响,采用化学气相沉积法合成了SnO2纳米线,通过光刻微加工技术构筑了Au/单根SnO2纳米线/Au二端纳米器件.将单根SnO2纳米器件进行氢化处理,测试其在空气与真空中的伏安特性曲线,发现单根SnO2纳米线在空气和真空环境中呈现异常不同的电输运特性:在空气中,加偏压注入电子会使通过纳米器件的电流减小,Au电极与SnO2纳米线之间的接触势垒增大;抽真空后,在偏压的影响下,通过纳米器件的电流增大,Au/SnO2交界面的接触方式由肖特基接触转变成欧姆接触.实验分析表明,影响单根SnO2纳米线电输运特性行为的因素与纳米线表面的氧原子吸附与脱吸附所引起的氧空位浓度的变化有关.为进一步分析氧空位浓度变化的作用,利用第一性原理计算方法计算了氧空位浓度对SnO2纳米线电输运性能的影响,通过分析体系的能带结构、态密度及Au/SnO2接触界面的I-V曲线和透射谱,发现随着氧空位浓度的增大,SnO2纳米线的带隙变小.同时,氧空位缺陷使Au/SnO2接触界面处电子透射率增大,体系电输运能力变强.该研究结果将为集成纳米功能器件的设计提供一种新思路.
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出版历程

单根SnO2纳米线器件的电输运性能及其机理研究

  • 湘南学院电子信息与电气工程学院,郴州 423000;湖南师范大学物理与电子科学学院,低维量子结构与调控教育部重点实验室,长沙 410006
  • 湖南师范大学物理与电子科学学院,低维量子结构与调控教育部重点实验室,长沙 410006

摘要: 为探究常态环境下氧空位对单根SnO2纳米线电输运性能的影响,采用化学气相沉积法合成了SnO2纳米线,通过光刻微加工技术构筑了Au/单根SnO2纳米线/Au二端纳米器件.将单根SnO2纳米器件进行氢化处理,测试其在空气与真空中的伏安特性曲线,发现单根SnO2纳米线在空气和真空环境中呈现异常不同的电输运特性:在空气中,加偏压注入电子会使通过纳米器件的电流减小,Au电极与SnO2纳米线之间的接触势垒增大;抽真空后,在偏压的影响下,通过纳米器件的电流增大,Au/SnO2交界面的接触方式由肖特基接触转变成欧姆接触.实验分析表明,影响单根SnO2纳米线电输运特性行为的因素与纳米线表面的氧原子吸附与脱吸附所引起的氧空位浓度的变化有关.为进一步分析氧空位浓度变化的作用,利用第一性原理计算方法计算了氧空位浓度对SnO2纳米线电输运性能的影响,通过分析体系的能带结构、态密度及Au/SnO2接触界面的I-V曲线和透射谱,发现随着氧空位浓度的增大,SnO2纳米线的带隙变小.同时,氧空位缺陷使Au/SnO2接触界面处电子透射率增大,体系电输运能力变强.该研究结果将为集成纳米功能器件的设计提供一种新思路.

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