铁电存储器60Coγ射线及电子总剂量效应研究
Total ionizing dose effect of ferroelectric random access memory under Co-60 gamma rays and electrons
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摘要: 以型号为FM28 V100的铁电存储器为研究对象,进行了60 Coγ射线和2 MeV电子辐照实验.研究了铁电存储器不同工作方式、不同辐射源下的总剂量辐射损伤规律,用J-750测试部分直流参数和交流参数,分析了存储器敏感参数的变化规律.实验结果表明:对动态、静态加电、静态不加电三种工作方式下的结果进行比较.其中静态加电工作方式下产生的陷阱电荷最多,是存储器最恶劣的工作方式;器件的一些电参数随总剂量发生变化,在功能失效之前部分参数已经失效;在静态加电这种最恶劣的工作方式下,得到60 Coγ射线比电子造成更加严重的辐照损伤.
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