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高速850nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

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周广正, 尧舜, 于洪岩, 吕朝晨, 王青, 周天宝, 李颖, 兰天, 夏宇, 郎陆广, 程立文, 董国亮, 康联鸿, 王智勇. 2018: 高速850nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长, 物理学报, 67(10): 72-81.
引用本文: 周广正, 尧舜, 于洪岩, 吕朝晨, 王青, 周天宝, 李颖, 兰天, 夏宇, 郎陆广, 程立文, 董国亮, 康联鸿, 王智勇. 2018: 高速850nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长, 物理学报, 67(10): 72-81.
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Zhou Guang-Zheng, Yao Shun, Yu Hong-Yan, Lü Zhao-Chen, Wang Qing, Zhou Tian-Bao, Li Ying, Lan Tian, Xia Yu, Lang Lu-Guang, Cheng Li-Wen, Dong Guo-Liang, Kang Lian-Hong, Wang Zhi-Yong. 2018: Optimized design and epitaxy growth of high speed 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers, Acta Physica Sinica, 67(10): 72-81.
Citation: Zhou Guang-Zheng, Yao Shun, Yu Hong-Yan, Lü Zhao-Chen, Wang Qing, Zhou Tian-Bao, Li Ying, Lan Tian, Xia Yu, Lang Lu-Guang, Cheng Li-Wen, Dong Guo-Liang, Kang Lian-Hong, Wang Zhi-Yong. 2018: Optimized design and epitaxy growth of high speed 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers, Acta Physica Sinica, 67(10): 72-81.
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高速850nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

  • 北京工业大学激光工程研究院,北京,100124

  • 华芯半导体科技有限公司,泰州,225599

  • 扬州大学物理科学与技术学院,扬州,225002

Optimized design and epitaxy growth of high speed 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers

  • 摘要: 利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射率谱特性,对比了从谐振腔入射与从表面入射时反射率谱的差异,为白光反射谱表征VCSEL外延片提供了依据.利用Crosslight软件模拟了InGaAs/AlGaAs应变量子阱的增益谱随温度的变化特性及VCSEL器件内部温度分布,设计了增益-腔模调谐的VCSEL.采用金属有机物化学气相淀积设备外延生长了顶发射VCSEL,制作了氧化孔径为7.5μm的氧化限制型VCSEL器件,测试了器件的直流特性、光谱特性和眼图特性;6 mA,2.5 V偏置条件下输出光功率达5 mW,4级脉冲幅度调制传输速率达50 Gbit/s.
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出版历程

高速850nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

  • 北京工业大学激光工程研究院,北京,100124
  • 华芯半导体科技有限公司,泰州,225599
  • 扬州大学物理科学与技术学院,扬州,225002

摘要: 利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射率谱特性,对比了从谐振腔入射与从表面入射时反射率谱的差异,为白光反射谱表征VCSEL外延片提供了依据.利用Crosslight软件模拟了InGaAs/AlGaAs应变量子阱的增益谱随温度的变化特性及VCSEL器件内部温度分布,设计了增益-腔模调谐的VCSEL.采用金属有机物化学气相淀积设备外延生长了顶发射VCSEL,制作了氧化孔径为7.5μm的氧化限制型VCSEL器件,测试了器件的直流特性、光谱特性和眼图特性;6 mA,2.5 V偏置条件下输出光功率达5 mW,4级脉冲幅度调制传输速率达50 Gbit/s.

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