退火温度对电子束蒸发沉积Cu2O薄膜性能的影响

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李海涛, 江亚晓, 涂丽敏, 李少华, 潘玲, 李文标, 杨仕娥, 陈永生. 2018: 退火温度对电子束蒸发沉积Cu2O薄膜性能的影响, 物理学报, 67(5): 103-115. doi: 10.7498/aps.67.20172463
引用本文: 李海涛, 江亚晓, 涂丽敏, 李少华, 潘玲, 李文标, 杨仕娥, 陈永生. 2018: 退火温度对电子束蒸发沉积Cu2O薄膜性能的影响, 物理学报, 67(5): 103-115. doi: 10.7498/aps.67.20172463
Li Hai-Tao, Jiang Ya-Xiao, Tu Li-Min, Li Shao-Hua, Pan Ling, Li Wen-Biao, Yang Shi-E, Chen Yong-Sheng. 2018: Influence of annealing temperature on properties of Cu2O thin films deposited by electron beam evaporation, Acta Physica Sinica, 67(5): 103-115. doi: 10.7498/aps.67.20172463
Citation: Li Hai-Tao, Jiang Ya-Xiao, Tu Li-Min, Li Shao-Hua, Pan Ling, Li Wen-Biao, Yang Shi-E, Chen Yong-Sheng. 2018: Influence of annealing temperature on properties of Cu2O thin films deposited by electron beam evaporation, Acta Physica Sinica, 67(5): 103-115. doi: 10.7498/aps.67.20172463

退火温度对电子束蒸发沉积Cu2O薄膜性能的影响

Influence of annealing temperature on properties of Cu2O thin films deposited by electron beam evaporation

  • 摘要: 近年来,钙钛矿太阳电池(PSCs)得到了迅猛发展,而无机空穴传输材料(IHTMs)的使用可进一步降低电池的成本,提高电池的稳定性.本文通过电子束蒸发制备了Cu2O薄膜,研究了空气中退火温度及时间对薄膜组成、结构及光电性能的影响,并构筑了p-i-n反型平面异质结钙钛矿太阳电池.研究发现:由于热解作用,直接通过电子束蒸发制备的薄膜为Cu2O和Cu的混合物;而在空气中经过退火后,由于氧化作用,随着退火温度的升高,薄膜的组分由混合物转变为纯的Cu2O,再转变成纯的CuO.通过控制退火温度制备的Cu2O薄膜的光学带隙约为2.5 eV,载流子迁移率约为30 cm2·V?1·s?1.应用于PSCs,薄膜的最佳厚度为40 nm,但电池性能低于PEDOT:PSS基的PSCs.这主要是由于钙钛矿前驱液在Cu2 O薄膜的润湿性较差,吸收层中有大量微孔洞存在,致使漏电流增强,电池的性能降低.然而,当采用Cu2O/PEDOT:PSS双HTMs设计时,由于PEDOT:PSS对Cu2O具有较强的腐蚀作用,使电池性能恶化.
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出版历程
  • 刊出日期:  2018-03-15

退火温度对电子束蒸发沉积Cu2O薄膜性能的影响

  • 郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,郑州 450052

摘要: 近年来,钙钛矿太阳电池(PSCs)得到了迅猛发展,而无机空穴传输材料(IHTMs)的使用可进一步降低电池的成本,提高电池的稳定性.本文通过电子束蒸发制备了Cu2O薄膜,研究了空气中退火温度及时间对薄膜组成、结构及光电性能的影响,并构筑了p-i-n反型平面异质结钙钛矿太阳电池.研究发现:由于热解作用,直接通过电子束蒸发制备的薄膜为Cu2O和Cu的混合物;而在空气中经过退火后,由于氧化作用,随着退火温度的升高,薄膜的组分由混合物转变为纯的Cu2O,再转变成纯的CuO.通过控制退火温度制备的Cu2O薄膜的光学带隙约为2.5 eV,载流子迁移率约为30 cm2·V?1·s?1.应用于PSCs,薄膜的最佳厚度为40 nm,但电池性能低于PEDOT:PSS基的PSCs.这主要是由于钙钛矿前驱液在Cu2 O薄膜的润湿性较差,吸收层中有大量微孔洞存在,致使漏电流增强,电池的性能降低.然而,当采用Cu2O/PEDOT:PSS双HTMs设计时,由于PEDOT:PSS对Cu2O具有较强的腐蚀作用,使电池性能恶化.

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