单晶CeB6发射性能及磁电阻各向异性研究

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包黎红, 陶如玉, 特古斯, 黄颖楷, 冷华倩, Anne de Visser. 2017: 单晶CeB6发射性能及磁电阻各向异性研究, 物理学报, 66(18): 173-179. doi: 10.7498/aps.66.186102
引用本文: 包黎红, 陶如玉, 特古斯, 黄颖楷, 冷华倩, Anne de Visser. 2017: 单晶CeB6发射性能及磁电阻各向异性研究, 物理学报, 66(18): 173-179. doi: 10.7498/aps.66.186102
Bao Li-Hong, Tao Ru-Yu, O.Tegus, Huang Ying-Kai, Leng Hua-Qian, Anne de Visser. 2017: Anisotropy study on thermionic emission and magnetoresistivity of single crystal CeB6, Acta Physica Sinica, 66(18): 173-179. doi: 10.7498/aps.66.186102
Citation: Bao Li-Hong, Tao Ru-Yu, O.Tegus, Huang Ying-Kai, Leng Hua-Qian, Anne de Visser. 2017: Anisotropy study on thermionic emission and magnetoresistivity of single crystal CeB6, Acta Physica Sinica, 66(18): 173-179. doi: 10.7498/aps.66.186102

单晶CeB6发射性能及磁电阻各向异性研究

Anisotropy study on thermionic emission and magnetoresistivity of single crystal CeB6

  • 摘要: 采用X射线劳厄定向法对单晶CeB6的(110),(111),(210)和(310)晶面进行了定向.系统研究了不同晶面热发射性能及磁场对电阻率的影响规律.结果表明,当阴极温度为1873 K时(110),(111),(210)和(310)晶面最大发射电流密度分别为38.4,11.54,50.4和20.8 A/cm2,表现出了发射性能的“各向异性” RichardsonDushman公式计算逸出功结果表明,上述晶面中(210)晶面具有最低的逸出功,为2.4 eV.从实际应用来看,该晶面有望替代商业化的钨灯丝成为新一代的场发射阴极材料.磁电阻率测量结果显示,当晶体从[001]方向旋转至[011]方向时电阻率从73μQ·cm变化至69μQ·cm,表明电阻率在磁场中沿不同方向同样具有“各向异性”的特点.
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出版历程
  • 刊出日期:  2017-09-30

单晶CeB6发射性能及磁电阻各向异性研究

  • 内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室,内蒙古师范大学,呼和浩特010022;Van der Waals-Zeeman Institute, University of Amsterdam, Science Park 904, 1098 XH Amsterdam, The Netherlands
  • 内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室,内蒙古师范大学,呼和浩特010022
  • Van der Waals-Zeeman Institute, University of Amsterdam, Science Park 904, 1098 XH Amsterdam, The Netherlands

摘要: 采用X射线劳厄定向法对单晶CeB6的(110),(111),(210)和(310)晶面进行了定向.系统研究了不同晶面热发射性能及磁场对电阻率的影响规律.结果表明,当阴极温度为1873 K时(110),(111),(210)和(310)晶面最大发射电流密度分别为38.4,11.54,50.4和20.8 A/cm2,表现出了发射性能的“各向异性” RichardsonDushman公式计算逸出功结果表明,上述晶面中(210)晶面具有最低的逸出功,为2.4 eV.从实际应用来看,该晶面有望替代商业化的钨灯丝成为新一代的场发射阴极材料.磁电阻率测量结果显示,当晶体从[001]方向旋转至[011]方向时电阻率从73μQ·cm变化至69μQ·cm,表明电阻率在磁场中沿不同方向同样具有“各向异性”的特点.

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