基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究

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肖迪, 王东明, 李珣, 李强, 沈凯, 王德钊, 吴玲玲, 王德亮. 2017: 基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究, 物理学报, 66(11): 282-289. doi: 10.7498/aps.66.117301
引用本文: 肖迪, 王东明, 李珣, 李强, 沈凯, 王德钊, 吴玲玲, 王德亮. 2017: 基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究, 物理学报, 66(11): 282-289. doi: 10.7498/aps.66.117301
Xiao Di, Wang Dong-Ming, Li Xun, Li Qiang, Shen Kai, Wang De-Zhao, Wu Ling-Ling, Wang De-Liang. 2017: Nickel oxide as back surface field buffer layer in CdTe thin film solar cell, Acta Physica Sinica, 66(11): 282-289. doi: 10.7498/aps.66.117301
Citation: Xiao Di, Wang Dong-Ming, Li Xun, Li Qiang, Shen Kai, Wang De-Zhao, Wu Ling-Ling, Wang De-Liang. 2017: Nickel oxide as back surface field buffer layer in CdTe thin film solar cell, Acta Physica Sinica, 66(11): 282-289. doi: 10.7498/aps.66.117301

基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究

Nickel oxide as back surface field buffer layer in CdTe thin film solar cell

  • 摘要: 采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜,并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究.NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大.通过X射线光电子能谱测试得到的NiO/CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好.NiO是宽禁带P型半导体材料,在电池背接触处形成背场,减少了电子在背表面处的复合,从而提高电池开路电压.通过优化NiO薄膜厚度,制备得到转换效率为12.2%、开路电压为789 mV的碲化镉太阳电池.研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有前景的缓冲层材料.
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出版历程
  • 刊出日期:  2017-06-15

基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究

  • 中国科学技术大学,合肥微尺度物质科学国家实验室,合肥230026

摘要: 采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜,并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究.NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大.通过X射线光电子能谱测试得到的NiO/CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好.NiO是宽禁带P型半导体材料,在电池背接触处形成背场,减少了电子在背表面处的复合,从而提高电池开路电压.通过优化NiO薄膜厚度,制备得到转换效率为12.2%、开路电压为789 mV的碲化镉太阳电池.研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有前景的缓冲层材料.

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