LCR分流电路下压电声子晶体智能材料的带隙?

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唐一璠, 林书玉. 2016: LCR分流电路下压电声子晶体智能材料的带隙?, 物理学报, 65(16): 164202. doi: 10.7498/aps.65.164202
引用本文: 唐一璠, 林书玉. 2016: LCR分流电路下压电声子晶体智能材料的带隙?, 物理学报, 65(16): 164202. doi: 10.7498/aps.65.164202
Tang Yi-Fan, Lin Shu-Yu. 2016: Band gaps of the phononic piezo electric smart materials with LCR shunting circuits, Acta Physica Sinica, 65(16): 164202. doi: 10.7498/aps.65.164202
Citation: Tang Yi-Fan, Lin Shu-Yu. 2016: Band gaps of the phononic piezo electric smart materials with LCR shunting circuits, Acta Physica Sinica, 65(16): 164202. doi: 10.7498/aps.65.164202

LCR分流电路下压电声子晶体智能材料的带隙?

Band gaps of the phononic piezo electric smart materials with LCR shunting circuits

  • 摘要: 将带有LCR分流电路的压电陶瓷片对贴在铝和环氧树脂组成的声子晶体结构中。使智能材料的机械振动与压电陶瓷的压电效应耦合起来,推导出机械振动在压电陶瓷片上的等效附加应力;使LCR分流电路中的电磁振荡效应和声子晶体的能带特性有机结合,计算了在分流电路作用下智能材料扭转和弯曲振动的带隙特性,研究了电阻、电感、电容元件的改变对压电声子晶体智能材料带隙的影响。研究结果表明:在合理尺寸下,随着分流电路中电阻值的增大,带隙的频率范围变宽,但衰减幅值有所降低;电感和电容值的增大都可以使带隙向低频移动,带隙的衰减幅值随着电感值的增大而升高,但随着电容值的增大而降低。从而给压电声子晶体智能材料减震降噪的控制提供了一种新思路。
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-08-30

LCR分流电路下压电声子晶体智能材料的带隙?

  • 陕西师范大学,陕西省超声学重点实验室,西安 710119

摘要: 将带有LCR分流电路的压电陶瓷片对贴在铝和环氧树脂组成的声子晶体结构中。使智能材料的机械振动与压电陶瓷的压电效应耦合起来,推导出机械振动在压电陶瓷片上的等效附加应力;使LCR分流电路中的电磁振荡效应和声子晶体的能带特性有机结合,计算了在分流电路作用下智能材料扭转和弯曲振动的带隙特性,研究了电阻、电感、电容元件的改变对压电声子晶体智能材料带隙的影响。研究结果表明:在合理尺寸下,随着分流电路中电阻值的增大,带隙的频率范围变宽,但衰减幅值有所降低;电感和电容值的增大都可以使带隙向低频移动,带隙的衰减幅值随着电感值的增大而升高,但随着电容值的增大而降低。从而给压电声子晶体智能材料减震降噪的控制提供了一种新思路。

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