(Ce0.8Sm0.2O2-δ/Y2O3:ZrO2)N 超晶格电解质薄膜的制备及表征?

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刘华艳, 范悦, 康振锋, 许彦彬, 薄青瑞, 丁铁柱. 2015: (Ce0.8Sm0.2O2-δ/Y2O3:ZrO2)N 超晶格电解质薄膜的制备及表征?, 物理学报, null(23): 236801. doi: 10.7498/aps.64.236801
引用本文: 刘华艳, 范悦, 康振锋, 许彦彬, 薄青瑞, 丁铁柱. 2015: (Ce0.8Sm0.2O2-δ/Y2O3:ZrO2)N 超晶格电解质薄膜的制备及表征?, 物理学报, null(23): 236801. doi: 10.7498/aps.64.236801
Liu Hua-Yan, Fan Yue, Kang Zhen-Feng, Xu Yan-Bin, Bo Qing-Rui, Ding Tie-Zhu. 2015: Preparation and characterization of the sup erlattice (Sm-doped ceria/yttria-stabilized zirconia)N electrolyte film, Acta Physica Sinica, null(23): 236801. doi: 10.7498/aps.64.236801
Citation: Liu Hua-Yan, Fan Yue, Kang Zhen-Feng, Xu Yan-Bin, Bo Qing-Rui, Ding Tie-Zhu. 2015: Preparation and characterization of the sup erlattice (Sm-doped ceria/yttria-stabilized zirconia)N electrolyte film, Acta Physica Sinica, null(23): 236801. doi: 10.7498/aps.64.236801

(Ce0.8Sm0.2O2-δ/Y2O3:ZrO2)N 超晶格电解质薄膜的制备及表征?

Preparation and characterization of the sup erlattice (Sm-doped ceria/yttria-stabilized zirconia)N electrolyte film

  • 摘要: 采用脉冲激光沉积技术(PLD),在MgO单晶基底上,依次沉积氧化钐掺杂的氧化铈(Ce0.8Sm0.2O2?δ, SDC)和钇稳定氧化锆(8 mol%Y2O3:ZrO2, YSZ)制备了五种(SDC/YSZ)N (N =3,5,10,20,30)超晶格电解质薄膜.利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)和交流阻抗对其形貌、相结构和电学性能进行了表征.结果显示,(SDC/YSZ)N超晶格电解质薄膜之间形成了明显的界面和较好的超晶格结构;薄膜表面颗粒生长均匀、致密、平滑,在薄膜的界面处没有元素相互扩散也未出现裂纹,外延生长良好;电导率随着(SDC/YSZ)N超晶格电解质界面数的增加而增加,而活化能则随之减少,是较为理想的低温固体氧化物燃料电池电解质。
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-12-15

(Ce0.8Sm0.2O2-δ/Y2O3:ZrO2)N 超晶格电解质薄膜的制备及表征?

  • 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021

摘要: 采用脉冲激光沉积技术(PLD),在MgO单晶基底上,依次沉积氧化钐掺杂的氧化铈(Ce0.8Sm0.2O2?δ, SDC)和钇稳定氧化锆(8 mol%Y2O3:ZrO2, YSZ)制备了五种(SDC/YSZ)N (N =3,5,10,20,30)超晶格电解质薄膜.利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)和交流阻抗对其形貌、相结构和电学性能进行了表征.结果显示,(SDC/YSZ)N超晶格电解质薄膜之间形成了明显的界面和较好的超晶格结构;薄膜表面颗粒生长均匀、致密、平滑,在薄膜的界面处没有元素相互扩散也未出现裂纹,外延生长良好;电导率随着(SDC/YSZ)N超晶格电解质界面数的增加而增加,而活化能则随之减少,是较为理想的低温固体氧化物燃料电池电解质。

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