磁致塑性效应下的位错动力学机制?

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李桂荣, 王宏明, 李沛思, 高雷章, 彭琮翔, 郑瑞. 2015: 磁致塑性效应下的位错动力学机制?, 物理学报, null(14): 148102. doi: 10.7498/aps.64.148102
引用本文: 李桂荣, 王宏明, 李沛思, 高雷章, 彭琮翔, 郑瑞. 2015: 磁致塑性效应下的位错动力学机制?, 物理学报, null(14): 148102. doi: 10.7498/aps.64.148102
Li Gui-Rong, Wang Hong-Ming, Li Pei-Si, Gao Lei-Zhang, Peng Cong-Xiang, Zheng Rui. 2015: Mechanism of dislo cation kinetics under magnetoplastic effect, Acta Physica Sinica, null(14): 148102. doi: 10.7498/aps.64.148102
Citation: Li Gui-Rong, Wang Hong-Ming, Li Pei-Si, Gao Lei-Zhang, Peng Cong-Xiang, Zheng Rui. 2015: Mechanism of dislo cation kinetics under magnetoplastic effect, Acta Physica Sinica, null(14): 148102. doi: 10.7498/aps.64.148102

磁致塑性效应下的位错动力学机制?

Mechanism of dislo cation kinetics under magnetoplastic effect

  • 摘要: 基于磁致塑性效应探讨了磁场作用下位错受力和运动机制,对磁场下的位错动力学机制进行了定性和定量分析。选择氧化铝纳米颗粒强化铝基复合材料为实验对象,在不同磁感应强度下(0—3 T范围)对试样进行磁场处理。结果表明,随着磁感应强度增加,位错密度提高,表现出塑性变形特征。分析认为,磁场力不足以驱动位错运动,位错增殖诱因在于磁致塑性效应,即磁场改变了顺磁性位错芯与障碍间自由基对中的电子自旋状态,促使自由基对从强键结合单线态向弱键结合三重态转化,位错穿越障碍时所需能量减小,退钉扎趋势明显;位错运动中的限速环节是位错在障碍处的停留,磁场诱发的电子激发和原子重排速度很快,表现出磁场作用的高效性。磁场起作用的临界磁感应强度约为3 T,低于3 T时磁场作用随磁场强度增加而变得明显,高于3 T后磁场效果会减小。计算得到3 T时位错运动速度是10?3 m/s,位错线长度比未加磁场时增加两个数量级,位移与磁感应强度平方和磁场作用时间成正比。实验和理论研究表明磁场具有改善材料塑性变形能力的显著作用。
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-07-30

磁致塑性效应下的位错动力学机制?

  • 江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013

摘要: 基于磁致塑性效应探讨了磁场作用下位错受力和运动机制,对磁场下的位错动力学机制进行了定性和定量分析。选择氧化铝纳米颗粒强化铝基复合材料为实验对象,在不同磁感应强度下(0—3 T范围)对试样进行磁场处理。结果表明,随着磁感应强度增加,位错密度提高,表现出塑性变形特征。分析认为,磁场力不足以驱动位错运动,位错增殖诱因在于磁致塑性效应,即磁场改变了顺磁性位错芯与障碍间自由基对中的电子自旋状态,促使自由基对从强键结合单线态向弱键结合三重态转化,位错穿越障碍时所需能量减小,退钉扎趋势明显;位错运动中的限速环节是位错在障碍处的停留,磁场诱发的电子激发和原子重排速度很快,表现出磁场作用的高效性。磁场起作用的临界磁感应强度约为3 T,低于3 T时磁场作用随磁场强度增加而变得明显,高于3 T后磁场效果会减小。计算得到3 T时位错运动速度是10?3 m/s,位错线长度比未加磁场时增加两个数量级,位移与磁感应强度平方和磁场作用时间成正比。实验和理论研究表明磁场具有改善材料塑性变形能力的显著作用。

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