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单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质

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唐欣月, 高红, 潘思明, 孙鉴波, 姚秀伟, 张喜田. 2014: 单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质, 物理学报, null(19): 197302. doi: 10.7498/aps.63.197302
引用本文: 唐欣月, 高红, 潘思明, 孙鉴波, 姚秀伟, 张喜田. 2014: 单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质, 物理学报, null(19): 197302. doi: 10.7498/aps.63.197302
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Tang Xin-Yue, Gao Hong, Pan Si-Ming, Sun Jian-Bo, Yao Xiu-Wei, Zhang Xi-Tian. 2014: Electrical characteristics of individual In-dop ed ZnO nanob elt field effect transistor, Acta Physica Sinica, null(19): 197302. doi: 10.7498/aps.63.197302
Citation: Tang Xin-Yue, Gao Hong, Pan Si-Ming, Sun Jian-Bo, Yao Xiu-Wei, Zhang Xi-Tian. 2014: Electrical characteristics of individual In-dop ed ZnO nanob elt field effect transistor, Acta Physica Sinica, null(19): 197302. doi: 10.7498/aps.63.197302
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单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质

  • 光电带隙材料省部共建教育部重点实验室，哈尔滨师范大学物理与电子工程学院，哈尔滨 150025

Electrical characteristics of individual In-dop ed ZnO nanob elt field effect transistor

  • 摘要: 采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征。基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料；讨论了迁移率提高的可能原因。
    Abstract: Back-gate field effect transistors based on In-doped ZnO individual nanobelts have been fabricated using the low-cost microgrid template method. The output (Ids-Vds) and transfer (Ids-Vgs) characteristic curves for the transistors are measured, and the mobility is derived to be 622 cm2·V-1·s-1. This value is obviously superior to those for most of materials including pure ZnO in the literature, and possible influence factors have also been discussed.
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-10-15

单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质

  • 光电带隙材料省部共建教育部重点实验室，哈尔滨师范大学物理与电子工程学院，哈尔滨 150025

摘要: 采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征。基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料；讨论了迁移率提高的可能原因。

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