新型AlGaInP系发光二极管饱和特性与寿命的研究

上一篇

下一篇

马莉, 沈光地, 陈依新, 蒋文静, 郭伟玲, 徐晨, 高志远. 2014: 新型AlGaInP系发光二极管饱和特性与寿命的研究, 物理学报, null(3): 037201. doi: 10.7498/aps.63.037201
引用本文: 马莉, 沈光地, 陈依新, 蒋文静, 郭伟玲, 徐晨, 高志远. 2014: 新型AlGaInP系发光二极管饱和特性与寿命的研究, 物理学报, null(3): 037201. doi: 10.7498/aps.63.037201
Ma Li, Shen Guang-Di, Chen Yi-Xin, Jiang Wen-Jing, Guo Wei-Ling, Xu Chen, Gao Zhi-Yuan. 2014: Investigation of the saturation characteristic and lifetime of the novel AlGaInP lightemitting dio des, Acta Physica Sinica, null(3): 037201. doi: 10.7498/aps.63.037201
Citation: Ma Li, Shen Guang-Di, Chen Yi-Xin, Jiang Wen-Jing, Guo Wei-Ling, Xu Chen, Gao Zhi-Yuan. 2014: Investigation of the saturation characteristic and lifetime of the novel AlGaInP lightemitting dio des, Acta Physica Sinica, null(3): 037201. doi: 10.7498/aps.63.037201

新型AlGaInP系发光二极管饱和特性与寿命的研究

Investigation of the saturation characteristic and lifetime of the novel AlGaInP lightemitting dio des

  • 摘要: 针对AlGaInP系发光二极管(LED)电极阻挡出光、衬底吸收、全反射角小导致器件出光效率低、热积累大、饱和特性差等问题,提出了一种具有复合电流输运增透窗口层、复合DBR反射镜和电流阻挡层结构的新型LED,并测试了其饱和特性和寿命.电流分布模拟显示:新型LED电极下仅存在极小的无效电流;实验结果表明新型LED出光效率高,饱和电流大,饱和电流时光强约为常规LED的3倍,光电性能明显提升.器件饱和特性和老化实验研究显示:新型LED寿命长达17.8×104 h,器件内部发热量低,具有高饱和特性和高可靠性,适合在大电流大功率下工作.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  235
  • HTML全文浏览数:  52
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2014-02-15

新型AlGaInP系发光二极管饱和特性与寿命的研究

  • 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124

摘要: 针对AlGaInP系发光二极管(LED)电极阻挡出光、衬底吸收、全反射角小导致器件出光效率低、热积累大、饱和特性差等问题,提出了一种具有复合电流输运增透窗口层、复合DBR反射镜和电流阻挡层结构的新型LED,并测试了其饱和特性和寿命.电流分布模拟显示:新型LED电极下仅存在极小的无效电流;实验结果表明新型LED出光效率高,饱和电流大,饱和电流时光强约为常规LED的3倍,光电性能明显提升.器件饱和特性和老化实验研究显示:新型LED寿命长达17.8×104 h,器件内部发热量低,具有高饱和特性和高可靠性,适合在大电流大功率下工作.

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回